Отечественная система обозначений полупроводниковых приборов предусматривает обозначения, состоящие из нескольких элементов.
ПЕРВЫЙ ЭЛЕМЕНТ (буква или цифрэ) оЬог»ачге\ применяемый полупроводниковый материал (табл. 5.4.1).
Таблица 5.4.1. Обозначение применяемого полупроводникового материала
ВТОРОЙ ЭЛЕМЕНТ (буква) определяет подкласс (группу) полупроводникового прибора (табл. 5.4.2).
Таблица 5.4.2. Обозначение подкласса полупроводникового прибора
ТРЕТИЙ ЭЛЕМЕНТ (цифра) опреде5\91& основные функциональные возможности полупроводниковых приборов (табл. 5.4J).
ЧЕТВЕРТЫЙ. ПЯТЫЙ И ШЕСТОЙ ЭЛЕМЕНТЫ (цифры) обозначают порядковый номер конструктивно-технологической разработки, а для стабилитронов и стабисторов - напряжение стабилизации.
СЕДЬМОЙ ЭЛЕМЕНТ (буква) опредет классификацию (разбраковку по параметрам) полупроводниковых приборов, изготовленных по единой технологии.
Для уточнений модификаций конструкции или электрических параметров иногда используют дополнительные элементы в обозначении полупроводниковых приборов.
Таблица 5.4.3. Цифровое обозначение функциональных возможностей полупроводникового прибора
| |
св€рхвысо1Х]часюгньедиццы (А) |
| смесительный диод |
\ i | детекторный диод |
: "¥ | усилительный диод |
| | параметрический диод |
| | переключательный или ограничительный диод |
| | умножительный или настроечный диод |
i..,%...t | генераторный диод |
| импульсный диод |
варикапы (В) |
| | подстроечный варикап |
| | умножительный варикап |
генераторы шума (Д) |
| низкочастотный генератор шума |
. г | высокочастотный генератор шума |
дисщы выпржтпельиые импульсные (И) |
| выпрямительный диод с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А |
2- \ | выпрямительный диод с постоянным или средним значением прямого тока от 0,3 до 10 А |
| | резерв |
| | для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления более 500 не |
| для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления 150 - 500 НС |
| | для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления 30 -150 НС |
Е | для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления 5-30 НС |
| | для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления 1-5HC |
| | для импульсных диодов с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 не |
дисщы тунельные (И) |
| | усилительный туннельный диод |
| | генераторный туннельный диод |
| переключательный туннельный диод |
| | обращенный диод |
излучающие огтзпектронные приборы (Л) |
... Л.... | диод инфракрасного излучения |
| | модуль инфракрасного излучения |
Продолжение табл. S.4.3
Цифра . 3 ":, | -i. - -Знамение.. . wt.,*..:..--. -t,...,...- я5у..:-я:.1р светодиод видимого спектра излучения |
п | знаковый индикатор |
• 5 | 3. аковое табло представления информации |
| шкала визуального представления информации |
| экран визуального представления информации |
дисщиые тиристоры дишсторы (Н) |
| экран визуального представления информации |
| динистор с максимально допустимым значением прямого тока от 0,3 до 10 А |
транзисторы попевые (П) |
| транзистор малой мощности (до 0,3 Вт) с граничной частотой усиления не более 3 МГц |
| транзистор малой мощности (до 0,3 Вт) с граничной частотой усиления 3-30 МГц |
| транзистор малой мощности (до 0,3 Вт) с граничной чааотой усиления более 30 МГц |
4 | транзистор малой мощности (до 0,3 Вт) с граничной частотой усиления более 30 МГц |
5 . | транзистор средней мощности (0,3 - 1,5 Вт) с граничной частотой усиления 3-30 МГц |
| транзистор средней мощности (0.3 - 1,5 Вт) с граничной частотой усиления более 30 МГц |
| транзистор большой мощности (более 1,5 Вт) с граничной частотой усиления не более 3 МГц |
| транзистор большой мощности (более 1,5 Вт) с граничной частотой усиления 3-30 МГц |
| транзистор большой мощности (более 1,5 Вт) с граничной частотой усиления более 30 МГц |
сгабилщюны и сга6исЩ1ы (С) |
i ; | стабилитрон мощностью до 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В |
2 : | стабилитрон мощностью до 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10 - 100 В |
3 | стабилитрон мощностью до 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В |
4 ; | стабилитрон мощностью 0,3 - 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В |
( 5 | стабилитрон мощностью 0,3 - 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10 - 100 В |
6 | стабилитрон мощностью 0,3 - 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В |
7 ; | стабилитрон мощностью 5 - 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В |
| стабилитрон мощностью 5 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10 -100 В |
