стабилитрон мощностью 5 - 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В
транзисторы биполярные (Т)
транзистор малой мощности (до 0,3 Вт) с граничной частотой усиления не более 3 МГц
транзистор малой мощности (до 0,3 Вт) с граничной частотой усиления 3-30 МГц
3 "
транзистор малой мощности (до 0,3 Вт) с граничной частотой усиления более 30 МГц
транзистор средней мощности (0,3 - 1.5 Вт) с граничной частотой усиления не более 3 МГц
транзистор средней мощности (0.3 - 1.5 Вт) с граничной частотой усиления 3-30 МГц
транзистор средней мощности (0,3 - 1,5 Вт) с граничной частотой усиления более 30 МГц
транзистор большой мощности (более 1,5 Вт) с граничной частотой усиления не более 3 М Гц
транзистор большой мощности (более 1.5 Вт) с граничной частотой усиления 3-30 МГц
транзистор большой мощности (более 1,5 Вт) с граничной частотой усиления более 30 МГц
триодные тиристоры незапирэемые 1У)
тиристор с максимально допустимым значением, в открытом состоянии, среднего тока не более 0.3 А или импульсного тока не более 15 А
тиристор с максимально допустимым значением, в открытом состоянии, среднего тока 0,3 - 10 А или импульсного тока 15 - 100 А
тиристор с максимально допустимым значением, в открытом состоянии, среднего тока более 10 А или импульсного тока более 100 А
триодные тиристоры запираемые (У)
тиристор с максимально допустимым значением, в открытом состоянии, среднего тока не более 0,3 А или импульсного тока не более 15 А
тиристор с максимально допустимым значением, в открытом состоянии, среднего тока 0.3 - 10 А или импульсного тока 15 - 100 А
тиристор с максимально допустимым значением, в открытом состоянии, среднего тока более 10 А или импульсного тока более 100 А
триодные тиристоры симитричные (У)
тиристор с максимально допустимым значением, в открытом состоянии, среднего тока не более 0,3 А или импульсного тока не более 15 А
тиристор с максимально допустимым значением, в открытом сосгоянии. среднего тока 0,3 - 10 А или импульсного тока 15 - 100 А
тиристор с максимально допустимым значением, в открытом состоянии, среднего тока более 10 А или импульсного тока более 100 А
выпрямитепьные блоки, столбы, диодные сборки (Ц)
Ч
диодный столб с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А
диодный столб с постоянным или средним значением прямого тока 0,3 - 10 А
и. »t
диодный блок с постоянным или средним значением прямого тока не более 0.3 А
диодный блок с постоянным или средним значением прямого тока 0,3 - 10 А
восьмой ЭЛЕМЕНТ (цифра или буква) цифра обозначает модификации прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров (1 - 9). Буква «С» - набор однотипных приборов в общем корпусе, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами.
ДЕВЯТЫЙ ЭЛЕМЕНТ (цифра) написанная через дефис, обозначает модификации конструктивного исполнения бескорпусных приборов (табл. 5.4.4).
Таблица 5.4.4. Цифровое обозначение модификации исполнения бескорпусных приборов
ЦИ1И»
Значение
1 1
С гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки)
с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке)
с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки)
с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке)
с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов
с контактными площадками на кристаллодержателе (подложке) и без выводов
ДЕСЯТЫЙ ЭЛЕМЕНТ (буква) обозначает подбор приборов по параметрам (табл. 5.45).
Таблица 5.4.5. Буквенное обозначение парного подбора приборов
:,Буква
Значение
С подбором по параметрам в пары
с подбором по параметрам в четверки
..... К. .
с подбором по параметрам в шестерки
Данная система обозначений вмещает значительный объем информации о свойствах полупроводникового прибора. Но поскольку ОСТ 336.919-81 был введен в действие с 1982 г., то для ранее разработанных полупроводниковых приборов (и выпускаемых по сей день) использовалась более упрощенная система обозначений, состоящая из двух-трех элементов.
СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ
ОСТ 11336.913-68
-Группа
- Порядковый номер разработки
- Полупроводниковые приборы
•v , ..jByitea:.,:
биполярный транзистор
биполярный транзистор в корпусе, который герметизируется способом холодной сварки
полупроводниковый диод
ВТОРОЙ ЭЛЕМЕНТ (цифры) указывает на материал полупроводника и область применения полупроводникового прибора (табл. 5.4.7).
Таблица 5.4.7. Обозначение материала и области применения
Цифр» !»
германиевые маломощные низкочастотные транзисторы
, 101 -йэа;.
кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы
. 201-2991,.
германиевые мощные низкочастотные транзисторы
301-399
кремниевые мощные низкочастотные транзисторы
401,--499.
германиевые маломощные ВЧ и СВЧ транзисторы
;..j50tS 599-С"
кремниевые маломощные ВЧ и СВЧ транзисторы
;.6ot 699 :
германиевые мощные ВЧ и СВЧ транзисторы
7015:799
кремниевые мощные ВЧ и СВЧ транзисторы
Г- 1СЮ
германиевые точечные диоды
: 101-,200
кремниевые точечные диоды
201 -::300ч,.:
кремниевые плоскостные диоды
„ -301,-400.,
германиевые плоскостные диоды
401 -Soo;
диоды смесительных СВЧ детекторов
, 5р1т>бОо;
умножительные диоды
. 6O1;sr470a
диоды для видеодетекторов
* iwmss
германиевые параметрические диоды
50 800 .
кремниевые параметрические диоды
80r-.90D....
стабилитроны
901-950 :
варикапы
,951-дао:.:
туннельные диоды
JIOQfe.llOO
выпрямительные столбы
ТРЕТИЙ ЭЛЕМЕНТ (буква) указывает на разновидность групп однотипных приборов (у некоторых типов может отсутствовать).
Для стабилитронов в качестве третьего и четвертого элементов присваивались числа (табл. 5.4.8), причем две последние цифры каждого числа соответствуют номинальному напряжению стабилизации стабилитронов данного типа. Пятый элемент указывал на разновидность однотипных приборов.
ПЕРВЫЙ ЭЛЕМЕНТ (буква) обозначает класс полупроводниковых приборов (табл. 5.4.6).
Таблица 5.4.6. Обозначение класса полупроводникового прибора
