Слаботочка Книги

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 [41] 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76

Таблица 5.4.8. Цифровое обозначение мощности и напряжения стабилизации

06оз1Шчвнивосновныхларамвтровсга6илитрЬтв "

сгЛбилитроны малой мощности {Р<0,3 Вт)

... .:тпШХ.,-:,

С напряжением стабилизации 0,1 В - 9,9 В

с напряжением стабилизации 10 В - 99 В

с напряжением стабилизации 100 В - 199 В

стабилитроны средней мощности (0.3 Вт<р<5Вт)

4(%-4S9

с напряжением стабилизации 0,1 В - 9,9 В

510:-599

с напряжением стабилизации 10 В - 99 В

.„ 601-бЭЭ.,,. .

с напряжением стабилизации 100 В - 199 В

стабилитроны большой мощности (Р > 5 Вт)

с напряжением стабилизации 0,1 В - 9,9 В

.. 810-899...,. ,

с напряжением стабилизации 10 В - 99 В

90Г-:999 .

с напряжением стабилизации 100 В - 199 В

S.4.I. ЦВЕТОВАЯ МАРКИРОВКА

На малогабаритных полупроводниковых приборах маркировку осуществляют цветными полосами или точками.

В зависимости от расположения цветной точки на корпусе (КТ-26, КТ-27, КТ-29) различают тип или группу полупроводниковых приборов (транзистора). Более подробно цветовая маркировка полупроводниковых приборов рассмотрена в гл. 6 и 7.

5.5. МАРКИРОВКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ОТДЕЛЬНЫМИ ФИРМАМИ

Кроме перечисленных выше систем маркировки, отдельные фирмы-производители вводят собственную маркировку для специальных типов приборов, выпускающихся под требования заказчика либо по коммерческим соображениям.

Ниже приведена маркировка на корпусах транзисторов, получивших наибольшее распространение различных фирм. Каждая фирма оригинальна в своей маркировке. Зачастую маркировка того или иного полупроводникового прибора начинается с букв названия фирмы.

IRGPC30KD2 - биполярный транзистор с изолированным затвором со встроенными диодами фирмы International Rectifier.

MJ3521, ММ1812 - мощные транзиаоры в металлическом корпусе фирмы Motorola.

MJE800, MPSU51A - мощные транзисторы в пластмассовом корпусе фирмы Motorola.

RCA1B04 - мощный транзистор в металлическом корпусе фирмы RCA, сотр. ,




ГЛАВА S

TIP3055, TIP151 - мощные транзисторы в пластмассовом корпусе фирмы Texas Instruments.

TIPL775A - мощный транзистор с планарным расположением выводов фирмы Texas Instruments.

U2T601 - мощный транзистор в металлическом корпусе фирмы Unitrode Corporation.

ZT402, ZTX601A - полупроводниковые приборы фирмы Ferranti.

S.S.I. МАРКИРОВКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ФИРМОЙ NIPPON ELECTBIC COMPANI (NEC)

Для обозначения своих полупроводниковых элементов фирма NEC использует товарный знак в виде буквы «N» и несколько символов, обозначающих конкретный полупроводник.

ПЕРВЫЙ ЭЛЕМЕНТ (сочетание булге/обозначает тип полупроводникового прибора (табл. 5.5.1).

Таблица 5.5.1. Буквенное обозначение полупроводникового прибора

.Код- :

:3«шцени«

AD \

лавинно-пролетные диоды

SC3--

светоизлучающие диоды зеленого свечения

диоды Ганна

1 Ш S

точечно-контактные кремниевые диоды

to -

смесительные германиевые диоды

: щ. 1

арсенид-галлиевые диоды с барьером Шотки

фототранзисторы

\ ш

светоизлучающие диоды красного свечения

оптопары, фотоприемники

%~ SV

варакторы

стабилитроны

светоизлучающие диоды желтого свечения

малосигнальные диоды

новые полупроводниковые приборы

диоды инфракрасного спектра

варисторы

ВТОРОЙ ЭЛЕМЕНТ (цифры) регистрационный номер.

5.6. ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Вопросы, связанные с взаимозаменяемостью отечественных и зарубежных полупроводниковых приборов, возникают при необходимоаи замены вышедшего из строя прибора в конкретной аппаратуре, а также при определении возможности воспроизведения интересующего устройства (схемы).



Полная аналогичность (эквивалентность) отечественных и зарубежных полупроводниковых прибфов предполагает совпадение их функционального назначения, электрических параметров и характеристик, конструктивного оформления, габаритных и присоединительных размеров, формы и расположения выводов, электрической связи выводов с корпусом, надежности и стабильности. Однако полного совпадения получить практически невозможно, так как процесс создания полупроводниковых прибфов - это технологический комплекс, характерный для каждой фирмы-изготовителя.

Принципы и методы определения наиболее вероятных значений и установления норм и допусков электрических параметров, принятые в разных странах, неодинаковы. Очевидно, что в ряде случаев нормы, устанавливаемые на параметры, могут значительно отличаться от их реальных значений.

Эксплуатационные свойства полупроводниковых приборов описываются большим числом параметров, поэтому можно считать, что практически полная тождественность отечественных и зарубежных полупроводниковых приборов недостижима и не во всех случаях необходима. Целесообразнее говорить о частичной (неполной) или приближенной их эквивалентности. Подбор аналогов должен проводиться с учетом конкретной электрической схемы, а не только путем формального сравнения всех параметров приборов в совпадающем или близком режимах измерений. При воспроизведении технических показателей схемы (узла, каскада) должны удовлетворяться прежде всего требования к выходным параметрам. Поэтому не все параметры полупроводниковых приборов будут одинаково важными, а только те, по которым должна быть обеспечена взаимозаменяемость.

Таким образом, наличие конкретной схемы приводит к сокращению числа рассматриваемых параметров и упрощению решения задачи по подбору эквивалентных приборов за счет выявленных требований к выходным параметрам и определения реального режима работы приборов. При анализе комплекса выходных параметров их условно можно разделить на основные (требуется наилучшее сочетание их значений) и второстепенные (значения могут меняться в достаточно широких пределах) параметры.

Взаимозаменяемость отечественных и зарубежных полупроводниковых приборов зависит не только от их свойств, условий эксплуатации и режимов применения, но и от рационально разработанной схемы, учитывающей номинальный разброс параметров и не требующей специального подбора приборов. При замене зарубежного прибора отечественным, даже лучшим по параметрам, может потребоваться подстройка схемы, чтобы не ухудшилась работа каскада и не возникла паразитная генерация. Подбф аналогов должен осуществляться сравнением элекфических параметров отечественных и зарубежных приборов.

Необходимо учесть, что некоторые фирмы выпускают приборы по лицензиям других фирм или стран и присваивают им новые номера, иногда меняя нормы на некоторые параметры.




0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 [41] 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76
Яндекс.Метрика