|
| |
|
Слаботочка Книги (в последнее время все чаще используется в индикаторах уровня записи магнитофонов). Обратное сопротивление диода может существенно влиять на постоянную времени цепи разрядки. Прямое падение напряжения на диоде важно в основном, когда он используется как элемент стабилизации низкого напряжения (0,5- 2 В). Как известно, для кремниевых диодов оно лежит обычно в пределах 0,5-1,0 В, у германиевых составляет всего лишь доли вольта. При выборе ограничителя напряжения необходимо учитывать, что при всех условиях эксплуатации аппаратуры номинальное напряжение защищаемых цепей (в различных схемах радиоэлектронной аппаратуры), с учетом допустимых отклонений, не допускается превышать максимально допустимого постоянного (импульсного) обратного напряжения (напряжения удержания), применяемого ограничителя (80% от номинального напряжения пробоя защищаемой цепи). Энергия импульса перенапряжения определяет выбор ограничителя напряжения с соответствующей максимально допустимой постоянной (импульсной) мощностью. При этом допускается последовательное и параллельное соединение приборов, которые в последнем случае подбираются по напряжению пробоя. А поскольку габариты и стоимость полупроводниковых ограничителей напряжения (ПОН) увеличиваются с повышением его им--пульсной мощности, то необходимо иметь представление о параметрах того переходного напряжения, от которого ПОН защищает предполагаемые цепи. В высокочастотных цепях для снижения барьерной емкости полупроводникового ограничителя напряжения последовательно с ним включают импульсный диод с малой собственной емкостью. Виды применяемых корпусов диодов и сборок представлены в приложении 5. Взаимозаменяемость распространенных импортных стабилитронов по рассеиваемой мощности, напряжению стабилизации и типу корпуса собраны в таблице (см. приложение 6). 7. ТРАНЗИСТОРЫ Транзисторы - это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Отдельные параметры и температурная стабильность кремниевых транзисторов значительно лучше, чем у германиевых, да и себестоимость получения чиаого кристалла германия выше. Поэтому кремниевые транзисторы получили широкое распространение, а германиевые транзисторы применяются в электронных схемах, где разброс параметров имеет решающее значение. Различия между ВЧ и СВЧ транзисторами во многом определяются размерами активных областей и величинами паразитных параметров структуры и корпуса. Поэтому критерием ВЧ и СВЧ транзисторов, как активных элементов, является их способность осуществлять усиление мощности на высоких частотах. Для характеристики этой способности используется максимальная частота генерации f . 7.1. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями ин-, жекции («впрыскивания») и экстракции («отсасывания») неоснов- ных носителей зарядов, называется биполярным транзистором. Биполярный транзистор содержит два P-N перехода. Один из них соединяет базу с эмиттером (эмиттерный переход), другой - базу с коллектором (коллекторный переход). Главным отличительным признаком биполярных транзисторов является то, что для обеспечения их нормальной работы необходимо иметь носители зарядов двух видов и противоположных знаков (электроны и дырки). В основе функционирования биполярного транзистора лежит инжекция неосновных носителей заряда, а основные свойства определяются процессами в базе. Если область базы транзистора обладает электронной проводимостью, то такой транзистор является P-N-P типа, а имеющий базу с дырочной проводимостью - N-P-N типа. Существует несколько способов включения биполярного транзистора (с общей базой, с общим эмиттером, с общим коллектором). Самой распространенной схемой включения биполярного транзистора в устройствах полупроводниковой электроники является схема с общим эмиттером (ОЭ). 7.1.1. itCHOBHblE ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ Основным параметром биполярного транзистора является коэффициент усиления (передачи) по току. Коэффициент усиления характеризует собой связь между выходными и входными токами транзистора. Частотные свойства биполярного транзистора определяются временем пролета неосновных носителей заряда через базу и временами перезаряда барьерных емкостей переходов. Относительная роль этих факторов зависит от конструкции и режима работы транзистора, а также от величин сопротивлений во внешних цепях. Коэффициент шума F, представляет собой отношение полной мощности шумов на выходе структуры к той ее части, которая вызвана шумами источника сигнала. Применяемая на практике режимная граница использования транзистора, определяемая помимо физической границы некоторыми соображениями технико-экономического характера, является предельно допустимым режимом, приводимым в справочниках и ТУ. На практике это означает введение коэффициента запаса. В табл. 7.1.1 приведены буквенные обозначения основных параметров транзисторов, описанные в отечественной и зарубежной справочной технической литературе. Таблица 7.1.1. Буквенные обозначения основных параметров
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 [48] 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 |