Слаботочка Книги

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 [54] 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76

КТ815

K.P-N


КТ817


КТ814

P-N-P


СЕРЫЙ


КТ6127

«б]

КТ816


КТ972


ЮВДНАЯ ТОЧКА


КТ973


I 11


ГОЛУВОЙ

КТ9115-

Р-К-Р


Эк. Эк

КТ940

.зеленый





3Kg Sg

KT961



БЕЛЫЙ


ifug




ВИДЫ МАРКИРОВКИ ТРАНЗИСТОРОВ

клюз

N-PET


2П306

КП307

fJ-FET

КПЗОЗ

an си

зп си

КП313


в случае, если коммутируемый транзистором ток не превышает 70 А. В противном случае необходимо использовать буферный каскад.

Дополнительную информацию с необходимыми параметрами и графическими зависимостями для различных режимов работы, а также многочисленные рекомендации по применению можно получить по сети Интернет на официальном WEB-сайте фирмы по адресу: WWW.IRF.COM.

7.4.1. ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ

Множество типов IGBT-транзисторов, которые выпускает фирма International Rectifier, можно классифицировать по следующим параметрам.

Величины рабочих напряжений соответствуют шкале: 500 В, 600 В, 900 В, 1200 В.

Ток через транзистор определяет размер кристалла, который в условных единицах указывается при расшифровке типа IGBT-транзистора.

В зависимости от рабочей частоты все выпускаемые IGBT-транзи-сторы можно условно разделить на три группы: до 1 кГц - стандартные приборы, 3-10 кГц - быстрые, 10-30 кГц - ультрабыарые.

Наличие или отсутствие встроенного защитного диода дает потребителю гибкость в выборе конкретного типа быстро восстанавливающегося защитного диода (для решения своей конкретной задачи).

Биполярные транзисторы с изолированным затвором изготавливаются в типовых корпусах (ТО220АВ или Т0247АС).




q4PC50Ul>

-ТипIG8T

04 .04

0502Н j- Католажный номер Фирменный знак


- Код страны

- Дата выпуска

G - затвор с - коллектор Е - эмиттер

Более подробную расшифровку всех элементов полного наименования IGBT в популярной литературе обычно не приводят, с ней можно ознакомиться на упомянутом выше сайте сети Интернет. Такая информация нужна в основном для анализа структуры элементов в конструкторских разработках, но для подбора и замены поврежденных компонентов изредка требуется и ремонтному персоналу.

СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИИ

IRIG4I Р I С [SOJ и ,D2 W

- Повышенная

--рабочая частота

-Напичие джща

и количество Область применения

-Размер хриетаппа

- Рабочее нагчмжение

-Тип корпуса

-1С8Т-технология

-- Знак фирмы

ПЕРВЫЙ ЭЛЕМЕНТ (буквы) обозначает принадлежноаь фирме Internatbnal Rectifier. ВТОРОЙ ЭЛЕМЕНТ (буквы и цифры) - обозначает код разработки по IGBT-технологии.

ТРЕТИЙ ЭЛЕМЕНТ (буква) обозначает тип корпуса (табл. 7.4.1). Таблица 7.4.1. Типы корпусов транзисторов

ТО220АВ

T0247AC

7.4.2. СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ И МАРИИРОВКА

В основу условных обозначений IGBT положен буквенно-цифровой код, которым обозначают тип, значения основных параметров (величина рабочего напряжения и частота, рабочий ток, наличие демпферного диода) и конструктивное исполнение. Внешний вид и схемное обозначение IGBT-транзистора приведен на рисунке ниже.




0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 [54] 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76
Яндекс.Метрика