|
| |
|
Слаботочка Книги ЧЕТВЕРТЫЙ ЭЛЕМЕНТ (буква) обозначает величину рабочего напряжения (табл. 7.42). Таблица 7.4.2. Коды рабочего напряжения
ПЯТЫЙ ЭЛЕМЕНТ (цифры) абстачает размер кристалла, по величине которого можно косвенно судить о величине тока через транзистор (для температуры 25°С приблизительно можно сопоставить величину тока: размер 2 соответствует току 20 А, 3 = 30 А, 4 = 40 А, 5 = 50 А). ШЕСТОЙ ЭЛЕМЕНТ (буква) оЬсаначаех область применения (табл. 7.4.3). Таблица 7.4.3. Код применения транзисторов
СЕДЬМОЙ ЭЛЕМЕНТ (буквы и цифры) обозначает наличие защитного диода и их количество (при наличии одного диода цифра опускается). ВОСЬМОЙ ЭЛЕМЕНТ (буква) обозначает возможность работы на повышенной рабочей частоте (более 150 кГц). Если данное условие невыполнимо, восьмой элемент в обозначении отсутствует 7.5. РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПОДБОРУ И ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ Рассмотрим некоторые общие подходы и конкретные ситуации, наиболее часто встречающиеся в ремонтной практике, связанные с заменой полупроводниковых приборов. Причины оГказов полупроводниковых приборов в основном связаны с перегрузками по мощности рассеяния, току и напряжению. Подбор аналогов должен проводиться с учетом конкретной электрической схемы, а не только путем формального сравнения всех параметров приборов в совпадающем или близком режимах измерений. Поэтому не все параметры полупроводниковых приборов будут одинаково важными, а только те, по которым должна быть обеспечена взаимозаменяемость. При анализе комплекса параметров всей схемы их условно можно разделить на основные (требуется наилучшее сочетание их значений) и второстепенные параметры (значения могут меняться в достаточно широких пределах). В наиболее тяжелом тепловом режиме из всех полупроводниковых элементов работает ключевой транзистор (электронного коммутатора, преобразователя) и выходной транзистор различных устройств бытовой техники. Вероятность их пробоя (при выходе за установленные нормы параметров питающей электросети) очень высока. При подборе аналога начинают с оценки действующих в узлах устройства токов и напряжений с учетом переменной составляющей. Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора должно быть больше, чем максимальное (с учетом переменной составляющей) напряжение, действующее на этом участке. Однако для обеспечения высокой надежности особо важно напряжение U, а не указывающееся (обычно в справочных листах прайсов торгующих фирм) U,. Оценив возможность замены из имеющихся транзисторов поданному параметру, следует аналогичным образом проверить, проходит ли он по максимально допустимому току коллектора и по мощности, рассеиваемой на коллекторе. Напряжение насыщения U в некоторой степени влияет на значение максимального импульсного тока транзистора и, следовательно, на мощноаь, отдаваемую в нагрузку, особенно при пониженном сетевом напряжении. Поэтому иногда транзисторы с большим «не тянур>, т е. не развивают необходимую мощность (для конкретной схемы включения). Во многих случаях критичным может оказаться выбор транзистора по статическому коэффициенту передачи тока. Однако при больших потребляемых токах или низкоомных нагрузках значение статического коэффициента передачи тока транзистора может быть уже критичным. И наконец, необходимо проверить, проходит ли заменяющий транзистор по частотным характеристикам. От быстродействия транзистора зависит КПД схемы. Чем короче переходные процессы, тем меньше мощность, рассеиваемая на транзисторе. Поэтому замена на существенно менее быстродействующий, хотя и восстанавливает работоспособность аппарата, нередко приводит к повторным отказам из-за перегрева корпуса. Отдельные транзисторы имеют встроенный резистор (определенного сопротивления) между базой и эмиттером, а в некоторых исполнениях и (или) защитный диод между коллектором и эмиттером. Это обстоятельство нужно обязательно учитывать, устанавливая при необходимости дополнительные диоды и резисторы и ориентируясь на конкретную схему включения. Полная аналогичность (эквивалентность) отечественных и зарубежных полупроводниковых приборов предполагает совпадение их функционального назначения, электрических параметров и характеристик, конструктивного оформления, габаритных и присоединительных размеров, формы и расположения выводов, электрической связи выводов с корпусом, надежности и стабильности. Однако полного совпаде-174 ния получить практически невозможно и не во всех случаях необходимо. Целесообразнее говорить о частичной (неполной) или приближенной их эквивалентности, так как процесс создания полупроводниковых приборов - это технологический комплекс, характерный для каждой конкретной фирмы-изготовителя. Взаимозаменяемость отечественных и зарубежных полупроводниковых приборов зависит не только от их свойств, условий эксплуатации и режимов применения устройства, но и от рационально разработанной схемы, учитывающей номинальный разброс параметров и не требующей специального подбора приборов. При замене зарубежного транзистора отечественным, даже лучшим по параметрам, может потребоваться подстройка схемы, чтобы не ухудшилась работа данного каскада и не возникла паразитная генерация. Подбор аналогов должен осуществляться сравнением электрических параметров отечественных и зарубежных приборов. Кроме того, подбор подходящих отечественных аналогов (особенно мощных импульсных транзисторов) для замены неисправных импортных сделать не так просто. Это связано с отсутствием подходящих по параметрам отечественных транзисторов в пластмассовых и миниатюрных корпусах. Несмотря на большое разнообразие типов корпусов транзисторов, многие из них имеют близкие габаритные и присоединительные размеры, что при соблюдении определенных требований позволяет корректно их заменять. Различные типы корпусов сгруппированы и показаны в приложениях 7 и 8. Обратим внимание на некоторые характерные случаи замены транзисторов с различными корпусами. При замене важно только учитывать, изолирован ли транзистор полностью, имеет ли изоляционную втулку в креплении или коллектор транзистора электрически соединен с теплоотводящей пластиной корпуса. Пусть неисправный прибор выполнен в изолированном корпусе, аналог не изолирован, но имеет пластиковую втулку в креплении. В данном случае достаточно установить слюдяную или фторопластовую прокладку под корпус транзистора (дополнительная изоляция винта крепления требуется для аналогов без изолирующей втулки). Необходимо оценивать эффективность теплоот-вода в ситуациях, когда неисправный транзистор с неизолированным корпусом заменяют на «пластмассовый», так как температура кристалла изолированных транзисторов при одинаковых условиях будет выше, чем у их «металлических» аналогов. 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 [55] 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 |