|
| |
|
Слаботочка Книги К193ИЕ8 Микросхема представляет собой быстродействующий делитель частоты с переменным коэффициентом деления 20/22. Предназначена для деления частоты высокочастотных сигналов синусоидальной и импульсной формы в измерительной технике и аппаратуре связи. Изготовлена по планарно-эпитаксиальной технологии с изоошдисй обрат носмсщенным р-п переходом и содержит 192 интегральных элемента. Конструктивно оформлена в металлокерамическом корпусе типа 2103.16-4. Масса микросхемы не более 2,5 г.  2т. 1ВЧ 0,27 ф ф ф rtiifti Ф Ф Ф Ключ IjJ Ф Ф Ф Ф Ф ф Ц] 19,5 D3 1 □ К193НЕ8
функциональный состав: I-V-триггеры; VI, VII-схемы ИЛИ; VIII-схема 1¥-\1/, 15 - tits- ет/гги„„, - 10 а -♦ Назначение выводов: I, 16 - напряжение источника питания {+U„); 2-выход; -выход (инверсный); общий вывод; 10-опорное напряжение (+U,); И - опорное напряжение (+t/„„2); 72-счетный вход (С); 14 - управляющий вход (Ll); 15 - управляющий вход (C/j) 3- - (>• 7, 9, И-незадействованные выводы. Основные параметры Номинальное напряжение питания ...................................5,2 В Ток потребления при [„ = 5,2 В, i?n = 619 Ом (выводы 2 и 4), Г=-60...+125° С, не более ............................... 11 мА Размах входного напряжения при [/„ = 5,2 В, /в, = 150 МГц, Г=-60...+ 125° С ......................................................0,6...1 В Размах выходного напряжения при t/„=4,94 В, Л„=619 Ом, /„=150 МГц, 7 =-60... +125° С ..............................0,4...1 В Частота входного сигнала при t/„ = 5,2 В: Г=-60...+125° С ..........................................................0,!5...1,3 ГГц Г=-60... + 70° С ............................................................0,15...1,5 ГГц Коэффициент деления частоты (по выводу 2) при Л„=619 Ом: С/„=4,94 В, [/i=4,l В, С/2 = 3,3 В или С/; =3,3 В, [/ = 4,1 В или C/i = t/2 = 4,l В, Г=+25"С ............20 [/„ = 4,94 В, f/i=4 В, [/2 = 3,2 В или t/, = 4 В или {/j = t/2 = 4 В, Г=-60° С ............................................20 Коэффициент деления частоты* (по выводам 2 и ) при Л = 619 Ом, [/„ = 5,46 В, ll =4,4 В, [/ = 3,6 В или {/i = 3,6 В, [/2 = 4,4 В или (/ = [/2=4,4 В, Г=-60°С .........................................20 Коэффициент деления частоты (по выводу 2) при Лп = 619 Ом, [/„=5,4 В, [/, = [/, = 3,6 В, Г=-60"С ...22 Коэффициент деления частоты* (по выводу 2) при Л„ = 619 Ом. 7-=+70° С: [/„ = 4,94 В, [/,=4,15 В, [/2 = 3,35 В или [/,=3,35 В, [/2 = 4,15 В или [/i = [/2=4,15 В ...............................20 [/„ = 5,46 В, [/i = [/j = 3,35 В или [/i = [/2 = 3,75 В 22 Коэффициент деления частоты (по выводу 2) при Л„ = 619 Ом, Г= + 125° С: [/„=4,94 В, [/i=4,2 В, [/2 = 3,4 В или [/i=3,4 В, С/2 = 4,2 В или t/i = [;2 = 4,2 В ...................................20 С/„ = 5,46 В, [/, = С/2 = 3,8 В .........................................22 Коэффициент деления частоты* (по выводу 4) при Л„ = 619 Ом, [/„ = 4,94 В: и, = [/2 = 3,2 В, Г=-60" С .........................................22 Ui = [/2 = 3,3 В; Г=+25 С .........................................22 Коэффициент деления частоты* (по выводу 4) при Л„=619 Ом, Г=+70° С: [/„ = 4,94 В, C/i = C/2 = 3,35 В .......................................22 [/„ = 5.46 В, [/,=4,55 В, [/2 = 3,75 В или [/,=3,75 В, [/2=4,55 В или [/, = [/2=4,55 В ...............................20 Коэффициент деления частоты (по выводу 4) прн Л„ = 619 Ом, Г=-И25° С: [/„ = 5,46 В, [/(=4,6 В, [/2 = 3,8 В или [/,=3,8 В, [/2 = 4.6 В, C/. = [/j = 4,6 В ..........................................20 [/„=4,94 В, [/( = [/2 = 3,4 В...........................................22 При измерении параметров на счетный вход С микросхемы (вывод 12) подается входной сигнал импульсной формы с уровнями (/-(0,3 + 0,06) В и 1/+(0,3 + 0,06) В, где U -напряжение на входе поверяемой микросхемы в отсучствие сигнала. Длительность импульсов ие менее 5 не, период следования не менее 10 не, длительность фронтов не более 3,5 не. Допускается подача входного сигнала синусоидальной формы с частотой ISO МГн и амплтудой (размахом) 0,6 В, При измерении параметров на счетный в.\од С микросхемы (вывод У2) подается сигнал синусоидальной формы с частотой 150 МГц и амплитудой (размахом) 0.6 В. При измерении параметров иа счетный вход С микросхемы (вывод 12) подается сигна.1 синусоидальной формы с частотой 1500 МГц и амплитудой (размахом) 0,6 В. " При измерении параметров на счетный вход с микросхемы (вывод 12) подается сигнал синусоидальной формы с частотой 1300 МГц и амплитудой (размахом) 0,6 В. На управляющие входы микросхемы (выводы 14 и IS) подаются сигналы согласно таблицы истинности. Таблица истикиостк К193ИЕ8
Примечание, 1-входное напряжение высокого уровня не менее 4,3 В при [/„ = 5,2 В и Т=+25"С; О -входное напряжение низкого уровня не более 3,5 В при [/„ = 5,2 В и Г=+25"С. Предельные эксплуатационные данные Напряжение питания ............................................................ 4,94...5,46 В Напряжение на входах управления (выводы 14 и 15) 0...5,46 В Ток нагрузки, не более ...................................................... 10 мА Крутизна фронта (спада) входных импульсов, не менее 200 В/мкс Температура окружающей среды ...................................... -60...+125° С Примечание. Микросхема устойчива к воздействию статических зарядов положительной и отрицательной полярности с потенциалом 100 В, 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 [12] 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 |