|
| |
|
Слаботочка Книги - 151 - КР1057ХП1 чено» ......................................................................... ±25 мВ j в режиме «шумопонижение выключено» .......... ±80 мВ i : на выводе 2 ........................................................ ±600 мВ на выводе 12 ...................................................... 60 мВ на выводе 14 ...................................................... 1,9...3,6 В Приведенное ко входу напряжение шумов при = = ±16.5 В, Г=+25"С, не более: в режиме «шумопонижение 20 дБ» ................... 250 мкВ в режиме «экспандирование 20 дБ» .................. 130 мкВ Выходные токи при 1/„=±15В, Г=+25°С: по выводу 9 ........................................................... 100...250 мкА по выводу 13 ......................................................... 8...35 мкА по выводу 14 ......................................................... 1...1,7мкА по выводу 7.5 ......................................................... 0.08...0,25 мкА Токи утечек при £/„=±15 8, Г=+25°С, ие более; по выводам 3, 4 ................................................... 50 иА по выводам 9, 13 ................................................. 50 нА Входной гок покоя по выводу б при t/„=±16,5B, 7=+25° С, не более .................................................... 0,4 мкА Входной ток покоя по выводу 10 при i/„ = 15 В, Т= = +25° С, не более ...................................................... 50 нА Коэффициент передачи микросхемы со входа (вывод б) на выход (вывод 23) при t/„ = ±15 В, С/,» б = = 400мВ, /=1 кГц, Г=+25°С .................................. 0,14... 1,05 Коэффициент усиления дополнительного усилителя при t/„= ± 15 В, t/., 3 = 40 мВ, /= 1 кГц, Г= = +25° С; в режиме «шумопонижение 10 дБ» при f/i9= + 15 в ............................................................. 2,38...2,74 в режиме «шумопонижение 20 дБ» ................... 10,64... 12,24 Коэффициент передачи микросхемы со входа (вывод 6) на выход (вывод 23) при 1/„=±15В, 120= 122= + 15 В, в режиме «компрессирование 20 дБ» при /=2 кГц, 1/„ = 40мВ, Г=+25°С ........... 1,64...2 Г=+70° С .......... 1,60...2,05 Г=-10° С .......... 1,60...2,05 при /=1кГц, [/„=400 мВ, Г=+25°С .......... 1,02... 1,13 в режиме «компрессирование 10 дБ» при t/i9 = = t2o = t22 = + 15 В, [/„,б = 40мВ, /=2 кГц ..... 1,56...1,9 в режиме «экспандирование 20 дБ» при 1/22 = = + 15 В: t/„ 6 = 74,5 мВ, /= 2 кГц, Г=+25°С .............. 0,46...0,7 Г=-10, +70° С ... 0,45...0,72 t,«.6 = 35,65 MB, /=2кГц, Г=+25°С ............. 0,71...1,09 Коэффициент гармоник при [/„б = 1600мВ, 1/20 = = 1/22=+ 13,5 В,/=1 кГц, t/„=±l3,5B, Г=+25°С, не более .......................................................................... 0,5% Полоса пропускания при 1/„= ±15 В, Г= +25° С....... 0,02...20 кГц Предельные эксплуатационные данные Напряжение питания .................................................... ±(13,5... 16,5) В Максимальное входное напряжение на выводе б........ ±2 В Максимальная емкость нагрузки по выводу 23 .... 200 пФ Минимальное сопротивление нагрузки по выводу 23 47 кОм Температура окружающей среды ............................... -10...+70° С Aj, у, дВ *10 О -10 -20 -30 -ifO -50 -ВО
0,OiOM 0,0311 0,1 0,25 0,5 1 2 6,3 10IB20 0,025 0,0630,125 ,кГц Кч,и, дБ *10 О -30 -50.
Орез 0,125 \0,250,SI 2 6,310 20 /,кГц Амплитудно-частотные характеристики в режиме «компандирование 20 дБ» Амплитудно-частотные характеристики в режиме «компрессирование 10 дБ» /гот, иа
12 13 II, 15 16 и„,В 1,,9 -10 О 10 20 30 1,0 SO 7 "С
Типовая зависимость тока потребления от положительного источника питания от его напряжения при 7=+25° С Типовая зависимость тока потребления от положительного источника питания от температуры окружающей среды при l + t/nl = -t/nl = 16,5 в Схема включения С6 5600 CO.. \\к)еЛ1ГЛ 1000  Типовая схема включения микросхемы КР1057ХП1 КР1100СКЗ Микросхема представляет собой экономичное устройство выборки и хранения аналоговых сигналов с малыми динамическими ошибками. Характеризуется малым током потребления, напряжением смещения и величиной переноса заряда. Предназначена для использования с аналого-цифровыми преобразователями для Снижения динамических погрешностей при кодировании изменяющихся во времени сигналов и увеличения их частоты квантования (выборки) по времени. Выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии на биполярных и полевых транзисторах I изоляцией элементов обратносмещенным р-п переходом. Конструктивно оформлена в полимерном корпусе типа 201.14-1. i Масса микросхемы не более 2 г. 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 [49] 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||