Слаботочка Книги

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 [51] 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89

= ±15 В, Л„„ = 0, Г=+25°С:

не более ............................................................................... 12 мкВ

типовое значение ................................................................ 8,2 мкВ

Входное дифференциальное напряжение при [/„= + 15 В,

Г=+25"С, не более ................................................................. ±10 В

Входной ток при [/„=±15 В, Г=+25°С:

не более ............................................................................... 0,5 нА

типовое значение ................................................................ 0,05 нА

Разность входных токов при [/„=±15 0, 7"=+25" С:

не более ............................................................................... 0,2 нА

типовое значение ................................................................ 0,05 нА >;

Коэффициент усиления при [/„=±15 В, Г=+25°С:

не менее ............................................................................ 1,5-10*

типовое значение ................................................................ 10

Коэффициент ослабления синфазного сигнала при t/„ =

-=±15 В, 7=+25° С;

не менее ............................................................................... 60 дБ

типовое значение ................................................................ 90 дБ

Параметры ключей

Напряжение отсечки при [/„=15 В, Г=+25С:

не более ............................................................................... 3 В

типовое значение ................................................................ 1,5 В

Сопротивление открытого ключа при 7= +25° С, не более ... 2 кОм типовое значение ................................................................ 0,5 кОм

Предельные эксплуатационные д:;ниые

Максимальное входное дифференциальное напряжение парафазного операционного усилителя ......................................... ± 10 В

Максимальное выходное дифференциальное напряжение

парафазного операционного усилителя .................................. ± 10 В

Максимальное напряжение питания ....................................... ±16,5 В

Температура окружающей среды ............................................ -10...+70° С



Лог, мА 2.,

1,2 0,8

кмюоскз

Лт, нА 50

50 20 10

/пот, "А

±5 t-O t/j tu„,h

KPIIOOCKJ


20 40 SO T,°C

-to 0 to 20 80 40 50 T, °C

Зависимое!!! тока потребления KPI ЮОСКЗ от напряжения питания. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимость юкн угечки в режиме «хранение» от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимость тока потребления КР1 ЮОСКЗ от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость


10 10 10 10" J, кГц О 250 500 750 С,,пФ

Зависимость спектральной плотности шума микросхемы КРПОСКЗ от частоты. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% .микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимость времени выборки от емкости конденсатора хранения. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Апр.хр, ДВ


to 10Cf,nP

Зависимость коэффициента прямого прохождения входного сигнала в режиме «хранение» от емкости конденсатора хранения. Заштрихована область разброса значений параметра для 95%> микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость



Кц.и, лБ 120

110 100 90 80 70

ffOt

9е/{8

-10 о /о ге 80 ю se sot,°c

Зависимость коэффициента усиления парафазного ОУ от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

/IyCJ/)

20о ше,пФ

Зависимость величины переноса заряда от емкости конденсатора хранения. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Схемы включения

Микросхема КРПООСКЗ применяется в основном в качестве УВХ, где используется полный набор функциональных элементов. В этой микросхеме парафазный операционный усилитель и коммутатор включены с симметричным входом и симметричным выходом. Режиму «выборка» соот-Ьетствует ТТЛ-уровень логической } на втором управляющем входе вывод 2) и уровень логического ) на первом управляющем входе Коммутатора (вывод 14). Коэф-})ициент передачи УВХ определя-5тся отношением сопротивлений «зисторов R1IR2, а постоянная 1ремени в режиме выборки равна ШС2. Разброс сопротивлений ре-teCTopoB R1 и R2 не должен вышать 0,5%. В качестве С1 С1 рекомендуется применять юнденсаторы типа ФТ-1 с раз-сом емкостей не более 5%.

При необходимости уменьшить время выборки параллельно резисторам R2 R2 могут быть подключены форсирующие конденсаторы Сф„р. Предельное быстродействие достигается при Сф„р=С/ и соответствует скорости нарастания


08 0,1

Типовая схема включения микросхемы КР1100СКЗ с симметричными входом и выходом




0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 [51] 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89
Яндекс.Метрика