|
| |
|
Слаботочка Книги 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 [51] 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 = ±15 В, Л„„ = 0, Г=+25°С: не более ............................................................................... 12 мкВ типовое значение ................................................................ 8,2 мкВ Входное дифференциальное напряжение при [/„= + 15 В, Г=+25"С, не более ................................................................. ±10 В Входной ток при [/„=±15 В, Г=+25°С: не более ............................................................................... 0,5 нА типовое значение ................................................................ 0,05 нА Разность входных токов при [/„=±15 0, 7"=+25" С: не более ............................................................................... 0,2 нА типовое значение ................................................................ 0,05 нА >; Коэффициент усиления при [/„=±15 В, Г=+25°С: не менее ............................................................................ 1,5-10* типовое значение ................................................................ 10 Коэффициент ослабления синфазного сигнала при t/„ = -=±15 В, 7=+25° С; не менее ............................................................................... 60 дБ типовое значение ................................................................ 90 дБ Параметры ключей Напряжение отсечки при [/„=15 В, Г=+25С: не более ............................................................................... 3 В типовое значение ................................................................ 1,5 В Сопротивление открытого ключа при 7= +25° С, не более ... 2 кОм типовое значение ................................................................ 0,5 кОм Предельные эксплуатационные д:;ниые Максимальное входное дифференциальное напряжение парафазного операционного усилителя ......................................... ± 10 В Максимальное выходное дифференциальное напряжение парафазного операционного усилителя .................................. ± 10 В Максимальное напряжение питания ....................................... ±16,5 В Температура окружающей среды ............................................ -10...+70° С Лог, мА 2., 1,2 0,8
Лт, нА 50 50 20 10 /пот, "А ±5 t-O t/j tu„,h
 20 40 SO T,°C -to 0 to 20 80 40 50 T, °C Зависимое!!! тока потребления KPI ЮОСКЗ от напряжения питания. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость Зависимость юкн угечки в режиме «хранение» от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость Зависимость тока потребления КР1 ЮОСКЗ от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость  10 10 10 10" J, кГц О 250 500 750 С,,пФ Зависимость спектральной плотности шума микросхемы КРПОСКЗ от частоты. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% .микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость Зависимость времени выборки от емкости конденсатора хранения. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость Апр.хр, ДВ  to 10Cf,nP Зависимость коэффициента прямого прохождения входного сигнала в режиме «хранение» от емкости конденсатора хранения. Заштрихована область разброса значений параметра для 95%> микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость Кц.и, лБ 120 110 100 90 80 70
-10 о /о ге 80 ю se sot,°c Зависимость коэффициента усиления парафазного ОУ от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
20о ше,пФ Зависимость величины переноса заряда от емкости конденсатора хранения. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость Схемы включения Микросхема КРПООСКЗ применяется в основном в качестве УВХ, где используется полный набор функциональных элементов. В этой микросхеме парафазный операционный усилитель и коммутатор включены с симметричным входом и симметричным выходом. Режиму «выборка» соот-Ьетствует ТТЛ-уровень логической } на втором управляющем входе вывод 2) и уровень логического ) на первом управляющем входе Коммутатора (вывод 14). Коэф-})ициент передачи УВХ определя-5тся отношением сопротивлений «зисторов R1IR2, а постоянная 1ремени в режиме выборки равна ШС2. Разброс сопротивлений ре-teCTopoB R1 и R2 не должен вышать 0,5%. В качестве С1 С1 рекомендуется применять юнденсаторы типа ФТ-1 с раз-сом емкостей не более 5%. При необходимости уменьшить время выборки параллельно резисторам R2 R2 могут быть подключены форсирующие конденсаторы Сф„р. Предельное быстродействие достигается при Сф„р=С/ и соответствует скорости нарастания  08 0,1 Типовая схема включения микросхемы КР1100СКЗ с симметричными входом и выходом 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 [51] 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||