Слаботочка Книги

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 [73] 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89

/ftOTf ; InOTZ f МА

		J<m8nAZ(A,B)

Л, /?л, , MP

0,39 0,38 0,37 0,36, 0,24

		Pflf8/IA2(A,S)

0,5 0,4 0,3

	Pllt8/1A2(A,B)

-20 0 20 40 80 T,°C -525-5,125 -5 -4,875-4,75U,В -20 0 20 40 SO T,°C

Типовые зависимости токов потребления ЦАП КМ1118ПА2 (А, Б)

[КРП18ПА2 (А, Б)] ст температуры окружающей среды

Типовые зависимости нелинейности б„ и дифференциальной нелинейности 8„д ЦАП КМ1118ПА2 (А, Б) [КР1118ПА2 (А, Б)] от напряжения питания U„i

Типовые зависимости нелинейности 8„ и дифференциальной нелинейности Ъ„„ КМт8ПА2 [КРП18ПА2 температуры

(А, Б) (А, Б)] от окружа-

ющей среды

				1";*/

50 40 30 20 10 о

		Н1тПА2(А,Б)
				"1

40 35 30 25 20 15

-5,25-5,725 -5 -4,875-4,75U.,В -20 О 20 40 60 Т,°С 4,625 4,75 4,875 5 S,f25U„,B

Ui, мВ О

-20 -30

Типовые зависимости времени установления выходного напряжения ЦАП КМт8ПА2 (А, Б) [КР1118ПА2 (А, Б)] от напряжения питания 1]„г.

1 - в режиме ЭСЛ при смене входного цифрового кода от 11... П к 00...00; 2-в режиме ЭСЛ при смене входного цифрового кода от 00...00 к И...11

Типовые зависимости времени установления выходного напряжения ЦАП КМ1118ПА2 (А, Б) от температуры окружающей среды:

/ - в режиме ЭСЛ при смене входного цифрового кода от И...11 к 00...00; 2-в режиме ЭСЛ при смене входного цифрового кода от 00...00 к 11...11

Типовые зависимости напряжений ЦАП КМ1118ПА2 (А, Б) [КР1118ПА2 (А, Б)] в режиме ТТЛ от напряжения питания и„ 1 при 1/п2 = -5В:

1 - смещения нуля на выходе; 2-в конечной точке характеристики преобразования

-1г,5

			т8ВАг(А,Б)

-5,25-5,125 -5 -4,875 -11,75и„2,8

Типовые зависимости напряжений ЦАП КМ1118ПА2 (А, Б) [КР1118ПА2 (А, Б)] в режиме ТТЛ от напряжения С/„2 при [/„1 = 5 В

/-смещения нуля на выходе; 2~ъ конечной точке шкалы

20 40 80 Т,°С

Ui, мВ

KimnA2(A,S)-

20 iO ВО Г,°С

Типовые зависимости напряжений ЦАП КМ1118ПА2(А, Б) [КР1118ПА2 (А. Б)]

/ - в конечной точке характеристики преобразования в режиме ЭСЛ, 2- смещения нуля на выходе в режимах ЭСЛ и ТТЛ, 3-в конечной точке характеристики преобразования в режиме ТТЛ

Типовые зависимости токов:

ЦАП КМт8ПА2 (А, Б) 1КРП18ПА2 (А, Б)] от температуры окружающей среды /-высокого уровня по входу С в режиме ЭСЛ; 2-высокого уровня по инвертированным входам DB1- DBXQB в режиме ЭСЛ; 5-высокого уровня по входам DB1 - DB10B, С, 1С, Н, L, G в режиме ТТЛ; 4-высокого уровня по входам 2С, Н, Lb режиме ЭСЛ; 5-высокого уровня по входу G в режиме ЭСЛ; 6-высокого уровня по инвертированному входу G в режиме ЭСЛ; 7- высокого уровня по входам DB\ - DBXQB в режиме ЭСЛ; S-низкого уровня по входам DB1-DB10B в режиме ТТЛ; 9 - низкого уровня по входам С, 2С, Н, L, G в режиме ТТЛ; 10 - низкого уровня по инвертированному входу С в режиме ЭСЛ; 11 - низкого уровня по входам DB1 - DBXQB в режиме ЭСЛ; /2-низкого уровня по входам С, 2С, Н, L, С в режиме ЭСЛ, 13 - низкого уровня по инвертированным входам DBI - DB10B в режиме ЭСЛ; 14-низкого уровня по инвертированному входу G в режиме ЭСЛ

, ПК А 8000

160 80

-1,0 -60 -80 -SO

-по -т. -г95

-305

			"4

-5,25-5,125 -5,0 -4,875 -4,751/„г,В

Ii, MX А 8000

7000

О 20 -40 -80 -80, -200 -230 -260 -290 -320

				"7
-!!!гг
				бПАг	(А, в)

4,825 4,75 4,875 5 5,125 5,25U,В

Типовые зависимости токов ЦАП КМП18ПА2 (А, Б) [КРП18ПА2 (А, Б)] от напряжения питания / - потребления /„<„, при 2 = - 5 В в режиме ТТЛ; 2-высокого уровня по входам 1С, G, Н, L при t/„2 = - 5 В в режиме ТТЛ; 3-высокого уровня по входам DB1 - DB10B, С при 1/„2=-5В в режиме ТТЛ; 4-потребления при 1/„2=-5 В в режиме ТТЛ; 5-низкого уровня по входам DB1-DB10B при 1/„2=-5 В в режиме ТТЛ; 6-низкого уровня по входам С, 1С, Н, L, G при f/„2=-5В в режиме ТТЛ

Типовые зависимости токов ЦАП КМ1118ПА2 (А, Б) [КРт8ПА2, (А, Б)] от напряжения питания U„2-1 - высокого уровня по инвертированному входу G при {/„1=0 В в режиме ЭСЛ; 2-высокого уровня по входам 2С, Я, L при [/„1=0 В в режиме ЭСЛ; 3-высокого уровня по входу G при [/„ 1 = О В в режиме ЭСЛ; 4-высокого уровня по входам DBI-DBIOB. С при L„i=OB в режиме ЭСЛ; 5 - высокого уровня по инвертированным входам DB\ - DBIOB при Lf„i=0 В в режиме ЭСЛ; 6-высокого уровня по входам DBI-DBIOB при [/„1 = 5 В в режиме ТТЛ; 7-высокого уровня по входам 2С, Я, G, L, С при Lf„ 1 = 5 В в режиме ТТЛ; 8-низкого уровня по входам G, С при [/„1=0 В в режиме ЭСЛ 9-низкого уровня по входам G. С при [/„ 1 = 5 В в режиме ТТЛ 10-низкого уровня по входам 2С, Я, L при [/„1 = 5 В в режиме ТТЛ -низкого уровня по входам DB1 - DB\m при [/„1=0 В в режиме ЭСЛ 12-низкого урог.ня по входам 2С, Я, L при [/„1=0 В в режиме ЭСЛ 13-низкого уровня по инвертированным входам DB1-DBIOB при [/„1 = 0 В в режиме ЭСЛ; Z- -низкого уровня по входам С, G при [/„i=OB в режиме ЭСЛ; 15-потребления 7пот2 при [/„1=0 В в режиме ЭСЛ; 16-потребления /„„,, при [/„1=5 В в режиме ТТЛ

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 [73] 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89