|
| |
|
Слаботочка Книги Рекомендации по применению 1. Напряжения питания при работе микросхем в режиме ТТЛ: (/„1=+5В + 5%, (/„2=-5В±5% и в режиме ЭСЛ: l/„i=OB, [/„2=-5В±5%. 2. Вым i ЦАП нагружен на внутренний резистор R. 3. Между выводами 2 и J рекомендуется подключать конденсатор емкостью 1 мкФ для компенсации частотной характеристики встроенного ОУ. 4. Выход микросхем непосредственно согласуется с линией, имеющей волновое сопротивление 750 Ом. 5. Порядок подключения выводов микросхем к источникам напряжения питания в режиме ТТЛ следующий: выводы 5, 6, 8, 10 - к общей шине; вывод 2 - к источнику напряжения питания Uj вывод 9-к источнику напряжения питания (/„1; вывод 4-к источнику опорного напряжения [/„„. 6. Порядок подключения выводов микросхем к источникам напряжений питания в режиме ЭСЛ следующий: выводы 5, 6, 8, 9, 10 - к общей шине; вывод 2-к источнику напряжения питания U„2, вывод 4-к источнику опорного напряжения U„. 7. Выходные напряжения, указанные в таблице, для первых шести кодовых комбинаций на входах микросхем устанавливаются после подачи положительного фронта импульса по входу С (вывод 12). 8. Типовое значение амплитуды выбросов выходного напряжения не превышает 10 мВ при длительности 3 не. 9. В режиме ТТЛ незадействованные входы микросхем остаются неподключенными (если потребуется подать на них сигнал логической 1) или подключаются через резистор сопротивлением 3 кОм к общей (цифровой) шине (если потребуется подать на них сигнал логического 0). Парафазные входы в режиме ТТЛ не используются и не подключаются. 10. В режиме ЭСЛ неиспользованные входы микросхем остаются неподключенными (если потребуется подать сигнал логической 1) или подключаются через резистор сопротивлением 50 кОм к шине источника питания [/„ (если потребуется подать сигнал логического 0). Неиспользованные инвертированные входы не подключаются или на них подаются парафазные сигналы. 11. Подача каких-либо электрических сигналов к металлокерамическому корпусу микросхем и незадействованным выводам 1 и 40 запрещается. 12. Рекомендуется разделять цифровую и аналоговую земли на плате и соединять их только в одной точке - у источника напряжения питания. Подключение общих выводов J, 7, 10 к металлокерамическому корпусу микросхем запрещается. 13. К выводам 2, 4, 9 микросхем необходимо подключать конденсаторы емкостью 0,1 мкФ. 14. На временной диаграмме работы микросхем длительность входного тактового импульса т не менее 15 не, время задержки тактового импульса не менее 20 не, время нарастания фронта и спада импульса не более 5 не. Частота следования импульсов не более 20 МГц. 15. Допустимые импульсные выбросы напряжений на цифровых входах f/„ не превышают 0,3 В в режиме ТТЛ и 0,1 В в режиме ЭСЛ. f ctHi.o 7 iTU - стр гс Схемы включения f-ш - 119 JL тв -VWB в IDA \- т i-"5 ---ПЗ вг - пг --BI Типовая схема включения ЦАП КМП18ПА2 (А, Б) [КРП18ПА2 (А, Б)] в режиме ЭСЛ (в том числе в парафазном ЭСЛ с учетом соединений, обозначенных штриховыми -линиями) R1 10 к V гс н -BIO В BIO A в9 B8 B7 ВБ BS -Bit BJ BI Типовая схема включения ЦАП КМ1118ПА2 (А, Б) [КР1118ПА2 (А, Б)] в режиме ТТЛ Дополнительная литература Быстроденствуюпте интегральные микросхемы ЦАП и АЦП и измерение их параметров А.-Й. К. Марцинкявичюс, Э.-А. К. Багданскис, Р. Л. Пошюнас и др. Под ред. А.-Й. К. Марцинкявичюса и Э.-А. К. Багданскиса - М.: Радио и связь, 1988.-С. 37 -49. КМ1118ПАЗ, КР1118ПАЗ Микросхемы представляют собой быстродействующие восьмиразрядные преобразователи входного двоичного параллельного цифрового кода в пропорциональный ему ток на аналоговом выходе. Предназначены для применения в видеотехнике, аппаратах цифрового телевидения и др. Выполнены по схеме суммирования двоично-взвешенных токов, вырабатываемых параллельными генераторами токов. Изготовлены по биполярной планарно-эпитаксиальной технологии ЭСЛ-структур с изоляцией элементов обратносмещенными р-п переходами и содержат 160 интегральных элементов. Конструктивно оформлены в металлокерамическом корпусе типа 2120.24-1 (КМ1118ПАЗ) и пластмассовом корпусе 239.24-2 (КР1118ПАЗ). Масса микросхем в корпусе 2120.24-1 не более 3,8 г, а в корпусе 239.24-2 не более 2 г. 2120.211-1 ИМН!ШН II "7,5= 27,5 0,55(2h Мода) 1.75 15° Зона нлючаи rh п п ф ф п п ф ф rh п п 239.211-2 11*2,5=27,5 0,S (21, выбада) Зона ключа 0,31, 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 [74] 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 |