|
| |
|
Слаботочка Книги 0 1 2 [3] 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 Серия К174 К174ГФ1 Микросхема К174ГФ1 представляет собой задающий генератор с автоматической подстройкой частоты и фазы. Предназначена для применения в телевизионных приемниках в качестве задагйщего генератора строчной развертки и в импульсных источниках питания. Выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии с изоляцией элементов обратносмещенным р-п переходом, содержит 35 интегральных элемента. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1 г.   13,5 13 /г II и S v 1 £ ктгфг г 3 •! S § J 13 - МПГФ1 функциональный состав: I - фазовый дискриминатор; - усилитель; / -синхронизируемый генератор-формирователь; /V - выходнойусилитель.  Принципиальная электрическая схема микросхемы К174ГФ1 Назначение выводов: 1, 7 - выводы для подключения конденсатора обратной связи; 2 -вход выходного усилителя {IV); 5-общий вывод {-Ua); 4 - выход выходного усилителя (/1); 5 -напряжения питания (-j-t/n); б-выход усилителя-формирователя (Ш); в -вход усилителя ( ); 9 -выход фазового дискриминатора (/); 10, /2 -входы синхронизации фазового дискримниатора (/); 11 - стробируюиий вход фазового дискриминатора (/); 13 - вывод для подключения /?С-фильтра; 14 - вывод для подключения элементов регулировки частоты синхронизатора. Электрические параметрь? Номинальное напрялжпне питания........ 12 в Ток потребления при /?н(.) = БОО Ом, f=I5625 Гц, не более: r=-f25°C, l/„=.12 В............20 мА ГЧ-ТОХ, {;„=13,2 В........... 22 мА Г=-10°С, Uu=9 В............ 19,5 мА Амплитуда выходных нмпульсов при / =500 Ом, f= 15625 Гц, не менее: и„=12 В, r=-f25...-f-70°C.........4 В t/„=9 В, Г=-10°С............ ЗВ Длительность выходного импульса при J7n=12 В, =.4=500 Ом, r=-f25X............ 15...25 астота геиенрования импульсов прн J7„=12 В, Т= верхняя................. 17 190 Гц нижняя . ,.........14 060 Гц номинальное значение............ 15 625 Гц Полоса захвата лри J7n=12 В, R =500 Ом, Г= =-Ю.-.+ТОС............. . . , ±500 Гц Уход частоты генерирования импульсов, не более: при изменении температуры окружающей среды: от +25 до -10°С............ +2% от +25 до +70°С............ -2% при изменении иапряження питания: на +10%............... -2% на -10%............... +2% Предельные эксплуатационные данные Напряжение питания.............. 9...13,2 Максимальная амплитуда входных синхроимпульсоп на выводах 10 и 12............... 0.5 [/„ Температура окружающей среды jjyQcJ-. /г/4.. т щ щ 0,98
1,K 1,01 1,00 0,99
-W-W о 10 W 30 W 50 ВО 6 7 8 9 W nU.i Нормированная зависимость изменения частоты генерирования импульсов от температуры окружающей среды при t/n=12 В, i?„,,=500 Ом, Сплошной линией показана типовая зависимость. Заштрихована область разброса значений параметра для 95 % микросхем Нормированная зависимость изменении частоты генерирования импульсов от наприжения питания прн Г=+25Х, Ли,.)= =500 Ом. Сплошной линией показана типовая зависимосл Заштрихована область разброса значений параметров Д™ 95 % микросхем 0 1 2 [3] 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||