|
| |
|
Слаботочка Книги К1021ХА5Б........ ...... ±1,1 A Максимальный неповторяющийся выходной ток гене-ратора обратного хрда по выводу 8: KI02IXA5A.............. ±3 А К1021ХА5Б.............. ±2,2 А Максимально допустимая рассеиваемая мощность без дополнительного радиатора при температуре окружающей среды +25 "С .......... 3 Вт Тепловое соиротивление кристалл-корпус .... 4°С/Вт Максимальная рабочая температура кристалла . , --155°С Температура окружающей среды ....... -25 --70 "С • Максимальное напрялсеиие питания должно быть выбрано так, чтобы во время обратного хода напряжение на выводе 5 не превышало 55 Б. ** В случае использования микросхем в режиме с раздельным включением выводов I и 3 предельно допустимор напряжение иа пыводе / ие должно превышать напряжения питания. **• При („/r<3,3%; где iy,<l.5 мс - длительность импульса тока по выводу 5, а Г - период его повторения. При эксплуатации микросхем должна быть предусмотрена защита от статического электричества. Допустимое значение статического потенциала 200 В. С целью устранения влияния больших токов, протекающих в выходном каскаде, на входные цепи микросхем рекомендуется раздельно развести питание на выводы 6 и 9 к разделить общие цепи микросхем (выводы 2 н 4), на печатной плате. Внешний радиатор, применяемый для принудительного охлаждения микросхем, должен обеспечивать тепловое сопротивление корпус - окружающая среда не более 8°С/Вт. При креплении мик- рас , Вт 20 15 10 5
50 65 150Т,°й Типовые зависимости допустимой рассеиваемой мощности микросхем К1021ХА5А и К1021ХА5Б от температуры окружающей среды - 121 - Kf011XA5A,6 пасту КПТ-8. Внешний радиатор должен быть электрически соединен с выводом 2 микросхем. 3,0 2,5 Z0 1,5
0,25 1.0 Ig.A Типовая зависимость (сплошная линия) напряжения насыщения выходного транзистора (выводы 4 и 5) микросхем К1021ХА5А и К1021ХА5Б от тока нагрузки по выводу 5. Заштрихована область разбро-:а значений параметра для 95 % микросхем tmc.S-e 2,5 2,0 1.5 1.0 0.5
/.О Is. А Типовая зависимость (сплошная линия) выходного напряжения насыщения генератора Обратного хода микросхем KI021XA5A и К1021ХА5Б (выводы 8 и S) от выходного тока по выводу 8. Заштрихована область разброса значений параметра для 95 % микросхем 3,5 3,0 2,5 2,0 1.5
0,25 1,0 h.A Типовая зависимость (сплошная линия) напряжения насыщения выходного транзистора (выводы 5 и 6) микросхем К1021ХА5А и К1021ХА5Б от тока нагрузки по выводу 5. Заштрихована область разброса значений параметра для 95 % микросхем 12 10
15 20 25 30 35U„.B Зависимость тока потребления микросхем К1021ХА5А и К1021ХА5Б от напряжения питания. Заштрихована область разброса значений параметра для 95 % микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость Разрешается совместная работа микросхем и с микросхемами других серий (не только с КР1021ХА2) при условии соблюдения электрических режимов. 50 1,0 20 10
1,нА 39 38 37 38
20 25 3D 35U„,B 20 30 iO 50 BOT°Z Зависимость тока покоя выходного каскада микросхем К1021ХА5А и К1021ХА5Б от напряжения питания. Заштрихована область разброса значений параметра для 95 % микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость Зависимость тока покоя выходного каскада микросхем К1021ХА5А и К1021ХА5Б от температуры окружающей среды при (Уп=26 В. Заштрихована область разброса значений параметра для 95 % микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимости амплитуды выходного пилообразного тока по выводу 5 микросхем К1021ХА5А н К1021ХА5Б от напряжения питания при различных значениях сопротивления нагрузки W 15 20 25 и.В 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 [39] 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||