|
| |
|
Слаботочка Книги 0 1 2 3 4 [5] 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 /fOfi/Tfff 1501 5-f =0 to" I7,7S 15, 75 21,2 22, S 25,3 Ф3.6 =0  15,8 .г,8 1 3 5 10,65 Функциональный состав: /-источник тока; -входной дифференциальный усилитель; /- фазоинверсный каскад; /V-устройство тепловой защиты; V - каскад формирования тока покоя; VI- устройство защиты от короткого замыкания; VII - двухтактный выходной каскад.  VT14
S -о V! .-i.-о Принципиальная электрическая схема микросхемы К174УН19 Назначение выводов: 1 - неинвертирующий вход; 2 - инвертирующим вход; 3 -напряжение питания (-t/ni); 4 -выход; 5- напряжение питания (-fl/ns)- Электрические параметры Номинальное напряжение питания: двухполярное............, , , ±15 В однополярное............., , 30 В Ток потребления прп 1/вих=0, /?„=4 Ом, не более: 1/о=±16,5 В, r=-f25X..........56 мА J7n=±15 В, Г=-10 II 4-70 °С........65 мА [/п = ±12 В, r=-f70°C........... 60 мА Выходная мощность при {/„=±15 В (или J7n=--30 В), «„=4 Ом, Ку,и=30 дБ, f=l кГц, Кг=10 %, Г= + 25°С. пе менее.................. 15 Вт типовое значение ............. 18 Вт Выходное напряжение прн 1/„=4 Ом, f=I кГц: {/„ =+16.5 В, {/,.,=235 мВ, r=-f-25°C.....7...7,9В [/„=±12 В, {;вк=175 мВ, Г=-10 н -f70°C . . . 5...60 Выходное напряжение покоя при {/вх=0, /?я=4 Ом, Т= = -f25°C: t/n = ±15 В................ ±20 мВ t/„=±I6,5 В............... ±30 мВ Прноедениое ко входу напряжение шумов прн/?«= . =4 Ом, 7=---ь25С, ис более: t/n = ±15 В................ 10 мкВ t/n=±16 В................ 12 мкВ Коэффициент усиления напряжения при t/n = + l5 В, J7bx=208 мВ, /=1 кГц, i?„=4 Ом, r=-f-25C, типовое значение.................. 30... 31 Коэффициент ослабления: на нижней грапнчиоц частоте при 17п = ±15 В, 1/вх=208 мВ, /=0,01 кГц, R=4 Ом, Г=-1-25°С, не более ................ 3 дБ на верхней граничной частоте при 1/п=±15 В, [/вх=208 мВ, /=30 кГц, /?н=4 Ом, Г=-1-25°С, не более................. 3 дБ Коэффициент гармоник на частоте 1 кГц при /?я=4 Ом, 7"= -ь25 °С, не более: J7„= + 15 В, С/вых=0,632 В, Реых=0,1 Вт ... . 0,5% {/вых=6,93 В, Рвых=12 Вт..... 0 5% [/вых=7,74 В. Рвых=15 Вт..... 10% [/п=±13,5 В, 1/вых=6,32 В, Рвых=10 Вт ... . 10% Коэффициент подавлеиня пульсаций источника питания при t/„= + I5 В, Ку,и = 30 дБ, /=100 Гц, Р„=4 Ом, не менее . . . , .............. 40 дБ Входное сопротивление микросхемы, типовое значеиие: t/n = ±15 В................ 20 кОм • прн Ln=-f30 В (однополярное)....... 150 кОм Температура кристалла прн срабатывании устройства тепловой защиты.....-[-НбС Предельные эксплуатационные данные Напряжение питания: двухполярное................ ±6... ...±18В одпополярное ............... 12...36 В Максимальное входное напряжение........ ±15 В Максимальный выходисй ток.......... 3,5 А Минимальное сопротивленне нагрузки....... 3,2 Ом Максимальная мощность, рассенваемап микросхемой при температуре корпуса ..-l-WC....... 20 Вт Максимальная температура кристалла....... -flSCC Тепловое сопротивление кристалл - корпус..... 3° С/Вт Примечания; I. Расстояние от корпуса до места пайнн не менее 1 мм, температура пайки +235±БС, продолжительность гайки 2+0,5 с. При проведении монтажвых сборочных операдий допускается не более трех пере-гаек выводов микросхемы. 2. ТипорСе значение тока потребления про Д„"-4 Он, Рви5;=12 Вт, 1/„->± 15 Г! составляет 800 мА, при Р„ ="8 Ом, Яцых"* вых"* -550 нА. 3. Коуструиция микросхемы обеспечивает защиту от короткого замыяа-иия в нагрузке в течгнвг ас более 10 с. ZD 16
/pec, Br IB 12 iff i8 ±10 ±12 ±« il6if,B 0 Ч 8 12 1Б R.,,Bt Типовые завнсимостн выходной мощности от напряжения питания для двух значений коэффициента гармоник при Ку.иЗО дБ, /«,= 1 кГц. /?н= =4 Ом, Г=+25Х Типовая зависимость рассеиваемой мощности от выходной при t/n=±I5 В, /Су.и=30 дБ, кГц, /?„=4 Ом. Г= = +2БХ 0 1 2 3 4 [5] 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||