|
| |
|
Слаботочка Книги ную оценку их влияния по значению диэлектрических характеристик и динамики их изменения в условиях повышенной влажности на печатных тест-платах (рис. 11). Подготовка образцов к испытаниям должна строго соответствовать принятому циклу технологической обработки, включая пайку и нанесение влагозащитного покрытия. В качестве примера на рис. 21 приведены экспериментальные графики изменения диэлектрических параметров образцов, изготовленных из материала ГФ-1-1,5 сеточно-химическим способом с,пф п 11 10 9 8 1 В 5 * J 2 / О -г,о -zoo -1,0 -Z - - -150 -100 - 50 - 10
1 г Врепя, сут Рис. 21. Зависимость параметров печатных тест-плат из материала ГФ-1-1,5, изготовленных по типовому технологическому процессу с нанесением эпоксидной маски, от времени (относительная влажность 98%, температура 40° С)- С нанесением эпоксидной маски, облуженных сплавом Розе и паянных с триэтаноламин-салициловым флюсом (ФТС), промытых горячей водой вращающимися щетками. На рис. 22 приведены также параметры аналогичных образцов, изготовленных без эпоксидной маски с защитой проводников от облуживания химической пассивацией, паянных со спирто-канифольным флюсом без отмывки и с гидрофобизацией поверхности кремнийорганической жидкостью [32]. Анализ кривых на рис. 21 и 22 показывает, что каждый технологический процесс характеризуется определенным уровнем диэлектрических характеристик и динамикой их изменения во времени Б условиях влажной среды. Сопротивление изоляции в первом случае на два порядка ниже, чем при обработке по второму способу. Сравнивая уровень тангенса угла потерь, можно заключить, что при обработке гетинакса по первому технологическому пробе цессу потери достигают значения 1, 8, т. е. гетинакс в результа-те обработки в условиях повышенной влажности практически перестает быть диэлектриком. Об этом свидетельствует и характер изменения емкости: с началом увлажнения она резко возрастает 7 г г 1,5 -750 6 -5 - Рис. 22. Зависимость параметров печатных тест-плат из материала ГФ-1-1,5, изготовленных по доработанному технологическому процессу, от времени (относительная влажность температура 40°С). -1,0 -100 1 -О - 0,5 - 50
о 1 Z S < время, сут (сказывается наличие поверхностных химических загрязнений и структурных нарушений материала). В связи с этим возникает необходимость доработки технологического процесса. При обработке по второму способу тангенс угла потерь возрастает незначительно, а емкость увеличивается с течением времени плавно, что характеризует естественный процесс насыщения материала влагой и отсутствие значительных количеств химических загрязнений. Резва заготовок, нанесение риаднка, травление, промывка и ска плат Крацевание Блахвое Сухая зачистаа Нанесение и сушка зпоксидной маски Про1шгка ~06лукиванив в сплаве .Розе Промывка *- Сушка Резка заготовок, ванвсввав риоунна, травление, промывка и сушка плат Крацевание влажное Штамповка отверстий и контура Сухая зачистка Былерша на воздухе Пассивация Промывка Сушка Флюсование в 2-5% Ш Штамповка отверстий и контура Нанееелие флюса н.ч контактные площадки Рис. 23. Схема технологических процессов. а -типовой сеточио-химический; б - доработанный сеточно-химический Анализом технологического процесса изготовления ПП, структурная схема которого приведена на рис. 23, а, установлены операции, вредно влияющие на диэлектрические характеристики исходного материала (на рисунке квадраты изображены двойной линией). Нанесение эпоксидной маски вызывает увеличение диэлектрической проницаемости, как правило, плохая адгезия ее приводит к тому, что под эпоксидным слоем всегда имеются структурные нарущения, способствующие концентрации БлaгИj что еще в большей степени вызывает деструкцию материала и снижение диэлектрических свойств при циклическом увлаженении,, В процессе сушки маски диэлектрик коробится и нередко возникают трещины покрытия и разрывы печатных проводников. Маска сама по себе не является влагозащитным покрытием, так как поле платы Б зоне контактных площадок остается открытым. К тому же работа с эпоксцдными компаундами вызывает профессиональные кожные заболевания. Для обеспечения паяемости окисленные в процессе сушки эпоксидной маски контактные площадки подвергают флюсованию в растворе соляной кислоты с последующим облуживанием в легкоплавком припое. Отрицательное воздействие соляной кислоты общеизвестно. В, процессе облуживания в ванне с расплавленным припоем происходит ее накопление, и в сочетании с воздействием повышенной температуры еще больше ухудшаются исходные диэлектрические характеристики материала. Штамповка также способствует деструкции материала и маски.   Рис. 24. Сеткографический трафарет для нанесения флюсующего состава на контактные площадки. Рис. 25. Приспособление для групповой химической обработки плат в пассивирующем растворе. 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 [21] 22 23 24 25 26 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||