Слаботочка Книги

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 [115] 116 117 118 119

устройств на основе цилиндрических магнитных доменов и линий Блоха).

И все же - как цель, как направление поиска - тенденция создания оптоэлектронных устройств, превосходящих аналогичные микроэлектронные, проявляется более отчетливо, чем прежде. Разработка интегрально-оптических АЦП и спектроанализаторов, поиски сверхскоростных оптических бистабильных элементов, проектирование оптических параллельных цифровых процессоров - подтверждение этому. Оптоэлектроника - «служанка» микроэлектроники.

5. В идеологии различных направлений оптоэлектроники явно доминирующей становится концепция интеграции: физических явлений, выполняемых функций, разнородных элементов, субсистем. В волоконно-оптическом датчике объединены функции сенсорного элемента и линии связи. В интегрально-оптическом спектроанали-заторе на поверхностных акустических волнах одновременно «работают» физические явления инжекционного лазерного излучения, акусто-оптической дифракции, распространения излучения по плоским диэлектрическим волноводам, фотоэлектрические в полупроводниках. Все эти разнородные физические эффекты наблюдаются в одном миниатюрном оптоэлектронном устройстве. В некоторых случаях интеграция в оптоэлектронном устройстве качественно превосходит достигнутую в наиболее совершенных изделиях микроэлектроники Так, в фотоПЗС достигается наивысшая для данного периода времени степень интеграции больших интегральных схем. Жидкокристаллические дисплеи на активной матрице характеризуются тремя «этажами» интеграции (транзисторная управляющая матрица, жидкий кристалл, светофильтр), тогда как в микроэлектронике интеграция по вертикали пока еще находится в эксперментально-поисковом состоянии. Оптоэлектроника становится все интегральней.

6. По мере развития отдельные направления оптоэлектроники, ранее не связанные друг с другом, все более сближаются, опираясь на общие Физические основы, материалы, элементы. Успехи одного из направлений стимулируют развитие другого. Наблюдается все большее взаимопроникновение всех направлений оптоэлектроники. Примером является «пересечение» плоских индикаторов с пассивным растром, пространственно-временных модуляторов света и реверсивных сред для оптических ЗУ. Развитие воле вызвало к жизни появление интегральной оптики, а последняя, в свою очередь, способствовала возникновению лазеров с распределенной обратной связью, которые значительно улучшили качественные показатели ВОЛС. Инжекционные лазеры, получившие промышленное развитие благодаря ВОЛС, явились основой первого поколения оптических дисковых накопителей. Несомненно, повышение мощности лазеров, необходимое для устройств памяти, окажет благотворное влияние на прогресс ВОЛС и возможно откроет новые герспе::тнвы в технике лазерного проекционного телевидения. Оптоэлектроника все более консолидируется.



7. Ключевой проблемой дальнейшего прогресса большинства направлений современной оптоэлектроники является проблема материалов. Выше отмечалось, что физические аспекты оптоэчектро-ники в основном разработаны, успех (или неуспех) их реализации определяется, главным образом, материалами. Так, создание качественных эпитаксиальных GaAlAs-структур решило вопрос развития инжекционных полупроводниковых лазеров, разработка сверхчистых кварцевых волокон породила волоконно-оптическую связь, синтезирование четвертых InGaAsP-составов обеспечило переход ко второму поколению ВОЛС, получение чистых жидких кристаллов положило начало важнейшему направлению техники отображения информации. Во всех этих случаях физические и конструктивные предпосылки создания соответствующих устройств были хорошо известны задолго до того, как эти устройства начали реализовываться. Подтверждением выдвинутого тезиса служит медленное развитие из-за отсутствия материалов таких приборов, как голографические реверсивные ЗУ, оптические интегральные микросхемы, монолитные оптопары. Материалы - основная проблема современной оптоэлектроники.

Перечисленные особенности, характеризуя определенный период развития оптоэлектроники, разумеется, полностью не исчерпывают всего своеобразия этой молодой науки, способной удив-чять как неожиданными новыми достижениями и открытиями, так и сложными проблемами, требующими решения.



список ЛИТЕРАТУРЫ ОСНОВНАЯ ЛИТЕРАТУРА

1. Оптика и связь/А. Козаине, Ж. Флере, Г. Мэтр и др. -М.: Мир, 1984.- 504 с.

2. Wilson J., Hawkes Т. F. В. Optoelectronics: An Introduction. - Prentice-Hall International, 1983.- 445 p.

3. Квантовая электроника: Маленькая энциклопедия/Отв. ред. М. Е. Жабо-тинский. - М.: Сов. энциклопедия, 1969.-432 с.

4. Физический энциклопедический словарь/Под ред. А. М. Прохорова. - М.: Сов. энциклопедия, 1984.- 944 с.

5. Носов Ю. Р. Оптоэлектроника. Общая характеристика направления Элек-тронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. - 1985. - Вып. 4. - С. 3-15.

6. Адирович Э. И. Оптоэлектроника Микроэлектроника/Под ред. Ф. В. Лукина.-М.: Сов. радио, 1967, № П. -С. 75-128.

7. Свечников С. В. Элементы оптоэлектроники.-М.: Сов. радио, 1971. -287 с.

8. Носов Ю. Р. Оптоэлектроника.-М.: Сов. радио, 1977.- 232 с.

9. Елиисон М. И. Оптоэлектроника. - М.; Знание, 1977. - 67 с.

10. Ярив А. Введение в оптическую электронику. - М.: Высшая школа, 1983.- 398 с.

11. Носов Ю. Р. Оптоэлектроника. Перспективы развития Электронная промышленность.- 1983.- № 7. -С. 7-11.

12. Основы оптоэлектроники: Пер. с ялон./Суэмацу Я., Катаока С, Кисино К и др. -М.: Мир, 1988.-263 с.

ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ЛИТЕРАТУРА К главе I

1. Ландсберг Г. С. Оптика. -М.: Наука, 1976.-928 с.

2. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. - М.: Наука, 1973. -719 с.

3. Вычислительная оптика; Справочник/Под ред. М. М. Русинова.-Л.: Машиностроение, 1984. - 423 с.

4. Скоков И. В. Оптические спектральные приборы. - М.: Машиностроение, 1984. -240 с.

5. Астахов А. В., Широков Ю. М. Электромагнитное поле. - М.: Наука, 1980. - 711 с.

6- Дьяков В. А., Тарасов Л. В. Оптическое когерентное излучение. - М.: Сов. радио, 1974.- 186 с.

7. Тихонов А. Н., Самарский А. А. Уравнения математической физики. -М.: Наука, 1966. -724 с.

8. Теория оптических систем: Учебник для вузов/Б. Н. Бегунов, Н. П. Заказ-нов, С. И. Кирюшин, В. И. Кузичев. - М.: Мащиностроение, 1981.-432 с.

9. Заказное И. П. Прикладная геометрическая оптика.- М.; Машиностроение, 1984.- 184 с.

10- Матвеев А. И. Оптика. -М.: Высшая школа, 1985.- 326 с.

К главе 2

1. Смит Р. Полупроводники. - М.: Мир, 1982. - 558 с.

2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х кн. -М.: Мир, 1984.-

Кн- 1-2- ,д „

3. Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. -iW.: Наука, 1977. -672 с.

4. Рывкин С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. - М.: Физмат-издат, 1963- -496 с.

5. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. - М.: Мир, 1976.-431 с.




0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 [115] 116 117 118 119
Яндекс.Метрика