Слаботочка Книги

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 [45]

- синтезирование материалов иммерсионных сред (электрооптических, магнитооптических и др.) для оптронов с управляемым оптическим каналом;

- разработка методов изготовления структур светодиодов с улучшенной односторонней направленностью излучения;

- разработка конструкции и технологии «планарно-го» оптрона с односторонним расположением входных и выходных выводов, пригодного для автоматизации процессов измерения и сборки;

- разработка специализированных оптронных корпусов, пригодных для работы в жестких эксплуатацион- % ных условиях, и обладающих улучшенными параметра- Щ ми гальванической развязки;

- разработка технологии «дешевого» оптрона на основе использования излучателя, изготавливаемого методами газофазной эпитаксии, перехода на пластины * излучателей и фотоприемников большого диаметра, использования групповых методов обработки, механизации и автоматизации контрольно-измерительных и мон-тажно-сборочных работ и т. п.;

- разработка конструкции тонкопленочного оптрона- элемента будущих устройств интегральной оптики;

- поиски полупроводниковых материалов, пригодных для создания излучающей, изолирующей и фоточувствительной областей внутри одного монокристалла («монолитный» оптрон);

- разработка математических, физико-топологиче- А ских и схемотехнических моделей оптронов различного устройства, адекватно отображающих их свойства;

- повышение эксплуатационных характеристик раз- рабатываемых оптронов, в первую очередь их устойчивости к воздействию повышенной температуры и проникающей ядерной радиации.

Для последовательного решения этих проблем потребуются многие годы, тем не менее нет сомнения J в том, что уже в ближайшее время все расширяющееся производство и применение оптронов будет способствовать выполнению поставленной XXVI съездом КПСС задачи дальнейшего прогресса радиоэлектроники.

предметный указатель

Активные оптронные структуры 46-48

Аналоговое оптоэлектронное устройство с предварительной коррекцией нелинейных искажений 204-205

- - предварительной коррекцией частотных искажений 2)8

--шнротно-нмпульсчой

модуляцией сигналов 226- 227

Аналоговые оптоэлектронные ключи 104-105, 221-226

Быстродействующие оптоэлек-скодного типа 101-103, тронные переключатели ка-142, 144-145, 165-168

- с низкоомной нагрузкой фотоприемннка 102-103, 141-142, 144-145, 16Э- 170

-- регенерацией сигналов

170-172

- - составными транзисторами 167-169

--туннельными диодами

163-165

- - ускоренным возбуждением излучателя 120-122, 141-142, 160-163

Влияние проходной емкости

оптрона 157-158 Внутренний фотоэффект 31-33 Высокочастотные оптоэлектронные усилители 217-221

Динамика каскодного взаимодействия диодных оптронов 150-155

Динамика отбора фототока в цепь нагрузки 155157

- переключения светодиодов 145-150

Диодные оптроны, нелинейность передаточной характеристики 97-100

- параметры 75-77

- переходные процессы переключения 145-158

- разновидности 77-82

- теория 38-46

- физика преобразоваиня энергии 25-38

- характеристики 78-80

Защита от электрических перегрузок светодиодов 133- 134 244 246

- тиристоров 137, 248-279

Излучатели, разновидности 19-23, 48

- устройство 22

- характеристики основных видов 20-21

Импульсные схемы с оптической регенерацией сигналов 197- 99

Инжекционная люминесценция 26-31

Линейные оптоэлектронные усилители дифференциальные 205-208

- с дифференциальными оптронами 210-214

-- оптической компенсацией нелинейных искажений 208-210, 213

Логические оптоэлектронные элементы 173-177

Матричные оптронные переключатели 176-178

Модели быстрого переключения оптронов 138-142

Модель светодиода оптическая 29-31

- электрическая 28-30

Надежность оптронов 57-65

Оптическая иммерсионная среда 23-25

- связь разнотипных приборов н микросхем 231-233

-- триггеров кольцевого

счетчика 200

-- элементов и устройств

ЭВМ 230-231

Оптическое управление высоковольтными ключами 191-193, 251-254

- газоразрядным индикатором 237

- генераторами импульсов 190-191

- спусковыми транзисторными схемами 107-108, 185- 189

- строботроном 237

- электромагнитными реле 236 Оптопары диодные 75-82

- дифференциальные 100- 101

- классификация 4, 68-70

- конструкции 24-25

- резисторные 90-97

- система параметров 70-75, 109

- тиристорные 86-90

- транзисторные 82-86

Оптоэлектронные датчики объектов 239-243

--электрического режима

244-250

- интегральные схемы, классификация 4-5, 68-70

--, конструкция 25

--, параметры серийных

приборов 103-109 --, система параметров 70-

- потенциометры 257

- реле 106-107, 251-254

- схемы с S-образнымн ВАХ 194-197

- схемы с N-образными ВАХ 195-196

- трансформаторы 257 Оптрон-кнопка 256 Оптроны, нсторня 15-16

- обобщенная структурная схема 10-12

- основные определения 4-6

- отличительные особенности 6-7

- показатели прогресса 16

- применение 12-15

- проблемы и задачи исследований 7-10

- с открытым оптическим каналом 108-ПО

--световодом 110-111

--управляемым оптическим каналом 111-112

- устройство 18-25

- элементная база 18-25

Применение оптронов

- в бномедицннской аппаратуре 235-236

--системах защиты 244-

245, 247-249 -- системах регулирования

241-243, 245-247, 249-

250, 265-266

--телефонии 234-235

-- энергетических целях

257-260

- для замены электромеханических изделий 250-257

-- контроля электрических

процессов 244-250 --передачи информации

229-237

- - получения и отображения информации 238-243

-- преобразования н хранения информации 260-267

Светодиодные излучатели с одинарной гетероструктурой 48-57

--двойной гетероструктурой 48-57

--мезаструктурой 51-57

Согласование оптронов с операционными усилителями 215-217

--цифровыми микросхемами

178-185

Стабилизация резкима светоизлучателей 131-132

- фотоприемников 134-137 Схемотехника каскадов со светодиодами 115-122

- с фотодиодами 122-124, 126-127

--фоторезнсторамн 128-

--фототнристорами 127-

- - фототранзисторами 124- 127

Транзисторные усилители фототока 122-124

Фотопрнемники, разновидности 18-19, 46-47

- режимы работы 35-38

- устройство 19, 35, 47

- характеристики основных видов 21, 33-34

Эффект аномально высоких напряжений 81

Ячейки хранения информации с оптическими связями 15, 188 -189, 262-263

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 [45]