Слаботочка Книги

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 [109] 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128

MOTOROLA

МС33164/34164

МИКРОМОЩНАЯ СХЕМА КОНТРОЛЯ СНИЖЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ

ОСОБЕННОСТИ

ЦОКОЛЕВКА

* ОсущестЕляет контроль напряжения питания:

МСЗх1б4-3................................................3.0 В

МСЗх164-5................................................5.0 В

* Прецизионный порог срабатывания компаратора гарантируется а широком диапазоне температур

* Гистерезис компаратора предотвращает беспорядочное срабатывай ие компаратора

* Выход сброса обеспечивает втекающий ток.........................> 6 мА

* Внугренн ий защитный диод для разрядки конденсатора задержки

* Гарантированная генерация сигнала сброса с вюдным напряжением.....1.0 В

* Чрезвычайно малый потребляемый ток в режиме покоя........около 9.0 мкА

* Малогабаритные корпуса Т0-226АА, S0-8 и Micro-8

ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ

Микросхемы семейства МСЗх164 представляют собой устройства обнаружения снижения напряжения питания, специально предназначенные для генерации сигнала сброса в портативном микропроцессорном оборудовании с батарейным питанием. При добавлении всего одного внешнего резистора эти устройства обеспечивают возможность построения малогабаритной схемы, осуществляющей генерацию сигнала сброса микропроцессора при недопустимом снижении напряжения питания.

В состав микросхемы входит источник опорного напряжения, компаратор с прецизионным порогом срабатывания и необходимым для отсутствия ложных срабатываний гистерезисом, и выход сигнала сброса с открытым коллектором, обеспечивающий втекающий ток свыше 6 мА. Микросхемы семейства сохраняют работоспособность при снижении напряжения питания до 1.0 В и обладают очень малым током потребления в режиме покоя. Микросхемы выпускаются в трехвыводном корпусе ТО-226АА и в 8-выводных корпусах S0-8 и Micro-8, предназначенных для поверхностного монтажа.

СТРУКТУРНАЯ СХЕМА


Пластмассовый корпус ТО-226АА

gnd in

Пластмассовые корпуса SO-8 и Micro-8

Сигнал сброса RES Вход IN не подключен п.с. Земля GND


п.с. не подключен п.с. не подключен п.с. не подключен п.с. не подключен

ТИПОНОМИНАЛЫ

Типономинал

Диапазон рабочих температур

Тип корпуса

MC34164D-3

0...70-С

S0-8

MC34164D-5

0...70-С

S0-8

MC34164DM-3

0..,70-С

Micro-8

MC34164DM-5

0.,.70С

Micro-8

МС34164Р-3

0...70-С

ТО-226АА

МС34164Р-5

0...70-С

ТО-226АА

MC33164D-3

-40... 125-С

SO-8

MC33164D-5

-40..,125*С

SO-8

MC33164DM-3

-40...125-С

Micro-8

MC33164DM-5

-40,..125-С

Micro-8

МС33164Р-3

-40...125*С

TO-226AA

МС33164Р-5

-40...125-С

TO-226AA

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ПАРАМЕТРЫ.

Входное напряжение питания Vin ......................-1...12 В

Выходное напряжение на выводе RES (Vo)..............-1...12В

Втекающий ток на выводе RES (1дмк)........ограничен внутренне

Прямой ток защитного диода, (выводы Щ и Ш) (If).......100 мА

Тепловые параметры: суффикс Р

Максимальная рассеиваемая

мощность (Pd) (при Тд = 25С)....................700 мВт

Тепловое сопротивление

переход-окружающая среда (Rbja)..............178С/Вт

суффикс D

Максимальная рассеиваемая

мощность (Pd) (при Тд = 25С)....................700 мВт

Тепловое сопротивление

переход-окружающая среда (Rbja)..............178С/Вт

суффикс DM

Максимальная рассеиваемая

мощность (Pd) (при Тд = 25С).................... 520 мВт

Тепловое сопротивление

переход-окружающая среда (RвJд)..............240С/Вт

Максимальная рабочая температура кристалла (Tj).........150°С

Рабочий диапазон температур окружающей среды (Тд):

МС34164 .......................................0...-ь70С

МС33164 .....................................-40...+85С

Температура хранения (Tstg)......................-65...-i-150С

Примечание:

*По дополнительному требованию предоставляются данные по электростатической защите




ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ -

(типовые параметры приведены при Тд = 25°С, минимальные и максимальные значения гарантированы во всем диапазоне рабочих температур 0...70°С для МС34164 и -40...+85°С для МС33164, если не оговорено иначе)

МС34164-3, МС33164-3

Параметр

Обозначение

Условия измерения

Значение

Единицы измерения

не менее

типовое

не более

Компаратор

Верхний пороговый уровень

при увеличении

2.55

2.71

2.80

Нижний пороговый уровень

при уменьшении Vn

2.55

2.65

2.80

Гистерезис

Isink=100mkA

0.03

0.06

Выход RES

Напряжение насыщения на выходе

V,n = 2.4B,IaNK= 1мА

0.14

V,n-1.0B,Isink = 0-25mA

Выходной втекающий ток

IsiNK

V,n,V Es = 2.4B

Ток утечки на выходе RES

Irleak

V,n,Vres = 3.0B

0.02

Vin,Vres-10.0B

0.02

Прямое падение напряжения на защитном диоде (выводы [Ц и [Tj)

If = 5.0 mA

Для всего устройства

Рабочий диапазон входных напряжений

Входной потребляемый ток

V,n = 3.0B

Vn = 6.0B

МС34164-5, МС33164-5

Параметр

Обозначение

Условия измерения

Значение

Единицы измерения

типовое

не более

Компаратор

Верхний пороговый уровень

при увеличении Vjn

4.15

4.33

4.45

Нижний пороговый уровень

при уменьшении Vn

4.15

4.27

4.45

Гистерезис

IsiNK=100 мкА

0.02

0.09

Выход RK

Напряжение насыщения на выходе

Vn = 4.0B,Isink=1.0mA

0.14

Vin = 1.0 В, Is,nk = 0.25 mA

Выходной втекающий ток

IsiNK

V,n,VRes = 4.0B

Ток угечки на выходе RES

Irleak

ViN,VRes=5.0B

0.02

Vin, Vres = 10 В

0.02

Прямое падение напряжения на защитном диоде (выводы [2] и Ш)

If = 5.0 ma

Для всего устройства

Рабочий диапазон входных напряжений

Входной потребляемый ток

V,n = 5.0B

V,n=10B

Примечания:

1. Не должна быть превышена максимальная мощность рассеяния

2. Для проведения измерений используется импульсная методика с малой длительностью импульса (малым коэффициентом заполнения), гарантирующая сохранение температуры прибора, близкой к температуре окружающей среды.



ТИПОВЫЕ РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Рис. 1. МСЗх164-3. Зависимость вы-ходного напряжения нв выходе RES от входного напряжения

Vout, В


Рис. 2. МСЗх164-5. Зависимость вы-ходного напряжения нв выходе RES от входного напряжения

Vqut, В

! 1 1 !

Rl = 82 kOm(kVin)

Та = 25-С

i !

1

1 1

4.0 6.0

Vm,B

8.0 10

МС34164 02

Рис. 3. МСЗх164-3. Зввисимость вы-ходного нвпряжения нв выходе RES от входного напряжения

Vout, в

1 !

Rl = 82kOm{kV,n)

= 25-С

2.62 2.66

2.70

V,n,B

2.74 2.78

мс 34164 03

Рис. 4.

МСЗх164-5. Зависимость вы-

ходного напряжения нв выходе RES от

входного напряжения

Vout, В

Rl =

- Та =

82кОм (kV 25-С

1- 1

4.22

4.26

4,30

4.34

4.38

MC34t64 04

Рис. 5. МСЗх164-3. Зввисимость порогов срвбвтывания компарвтора от темпервтуры

2 64

2.60

-Вер

хний порог

эвый

/рове

сний п

орога

вый у

ровен

----

-

-50 -25 О 25 50 75 100 125

Та, С мс34гв4 05

Рис. 6. МСЗх164-5. Зависимость порогов срвбатывания компарвторв от темпервтуры

Vn,B

4.32

4.28

4.24

4.20

<ний п

орогс

вый у

ровен

НижНк

й пор

оговь

йуро

вень

-50 -25 О 25 50 75 100 125

Та, -с мсз4\елоб

Рис. 7. МСЗх164-3. Зввисимость входного тока от входного напряжения


2.0 4.0 6.0 8.0 10

Vn, В мс 3464 07

Рис. 8. МСЗх164-5. Зввисимость входного тока от входного напряжения


8.0 10

MC34I64 Ов

Рис. 9. Задержкв сигнвлв нв выходе RES


V,n = 5B\4B Rl = 43 кОм Та = 25-С

5.0 мкс/дел мсз41б4 ,2




1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 [109] 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128
Яндекс.Метрика