![]() | |
Слаботочка Книги 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 [109] 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 MOTOROLA МС33164/34164 МИКРОМОЩНАЯ СХЕМА КОНТРОЛЯ СНИЖЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ ОСОБЕННОСТИ ЦОКОЛЕВКА * ОсущестЕляет контроль напряжения питания: МСЗх1б4-3................................................3.0 В МСЗх164-5................................................5.0 В * Прецизионный порог срабатывания компаратора гарантируется а широком диапазоне температур * Гистерезис компаратора предотвращает беспорядочное срабатывай ие компаратора * Выход сброса обеспечивает втекающий ток.........................> 6 мА * Внугренн ий защитный диод для разрядки конденсатора задержки * Гарантированная генерация сигнала сброса с вюдным напряжением.....1.0 В * Чрезвычайно малый потребляемый ток в режиме покоя........около 9.0 мкА * Малогабаритные корпуса Т0-226АА, S0-8 и Micro-8 ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ Микросхемы семейства МСЗх164 представляют собой устройства обнаружения снижения напряжения питания, специально предназначенные для генерации сигнала сброса в портативном микропроцессорном оборудовании с батарейным питанием. При добавлении всего одного внешнего резистора эти устройства обеспечивают возможность построения малогабаритной схемы, осуществляющей генерацию сигнала сброса микропроцессора при недопустимом снижении напряжения питания. В состав микросхемы входит источник опорного напряжения, компаратор с прецизионным порогом срабатывания и необходимым для отсутствия ложных срабатываний гистерезисом, и выход сигнала сброса с открытым коллектором, обеспечивающий втекающий ток свыше 6 мА. Микросхемы семейства сохраняют работоспособность при снижении напряжения питания до 1.0 В и обладают очень малым током потребления в режиме покоя. Микросхемы выпускаются в трехвыводном корпусе ТО-226АА и в 8-выводных корпусах S0-8 и Micro-8, предназначенных для поверхностного монтажа. СТРУКТУРНАЯ СХЕМА ![]() Пластмассовый корпус ТО-226АА gnd in Пластмассовые корпуса SO-8 и Micro-8 Сигнал сброса RES Вход IN не подключен п.с. Земля GND ![]() п.с. не подключен п.с. не подключен п.с. не подключен п.с. не подключен ТИПОНОМИНАЛЫ
ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ПАРАМЕТРЫ. Входное напряжение питания Vin ......................-1...12 В Выходное напряжение на выводе RES (Vo)..............-1...12В Втекающий ток на выводе RES (1дмк)........ограничен внутренне Прямой ток защитного диода, (выводы Щ и Ш) (If).......100 мА Тепловые параметры: суффикс Р Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) (при Тд = 25С)....................700 мВт Тепловое сопротивление переход-окружающая среда (Rbja)..............178С/Вт суффикс D Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) (при Тд = 25С)....................700 мВт Тепловое сопротивление переход-окружающая среда (Rbja)..............178С/Вт суффикс DM Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) (при Тд = 25С).................... 520 мВт Тепловое сопротивление переход-окружающая среда (RвJд)..............240С/Вт Максимальная рабочая температура кристалла (Tj).........150°С Рабочий диапазон температур окружающей среды (Тд): МС34164 .......................................0...-ь70С МС33164 .....................................-40...+85С Температура хранения (Tstg)......................-65...-i-150С Примечание: *По дополнительному требованию предоставляются данные по электростатической защите ![]() ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ - (типовые параметры приведены при Тд = 25°С, минимальные и максимальные значения гарантированы во всем диапазоне рабочих температур 0...70°С для МС34164 и -40...+85°С для МС33164, если не оговорено иначе) МС34164-3, МС33164-3
Примечания: 1. Не должна быть превышена максимальная мощность рассеяния 2. Для проведения измерений используется импульсная методика с малой длительностью импульса (малым коэффициентом заполнения), гарантирующая сохранение температуры прибора, близкой к температуре окружающей среды. ТИПОВЫЕ РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Рис. 1. МСЗх164-3. Зависимость вы-ходного напряжения нв выходе RES от входного напряжения Vout, В ![]() Рис. 2. МСЗх164-5. Зависимость вы-ходного напряжения нв выходе RES от входного напряжения Vqut, В
4.0 6.0 Vm,B 8.0 10 МС34164 02 Рис. 3. МСЗх164-3. Зввисимость вы-ходного нвпряжения нв выходе RES от входного напряжения Vout, в
2.62 2.66 2.70 V,n,B 2.74 2.78 мс 34164 03
Рис. 5. МСЗх164-3. Зввисимость порогов срвбвтывания компарвтора от темпервтуры 2 64 2.60
-50 -25 О 25 50 75 100 125 Та, С мс34гв4 05 Рис. 6. МСЗх164-5. Зависимость порогов срвбатывания компарвторв от темпервтуры Vn,B 4.32 4.28 4.24 4.20
-50 -25 О 25 50 75 100 125 Та, -с мсз4\елоб Рис. 7. МСЗх164-3. Зввисимость входного тока от входного напряжения ![]() 2.0 4.0 6.0 8.0 10 Vn, В мс 3464 07 Рис. 8. МСЗх164-5. Зввисимость входного тока от входного напряжения ![]() 8.0 10 MC34I64 Ов Рис. 9. Задержкв сигнвлв нв выходе RES ![]() V,n = 5B\4B Rl = 43 кОм Та = 25-С 5.0 мкс/дел мсз41б4 ,2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 [109] 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 |
|