Слаботочка Книги

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 [110] 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128

ТИПОВЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ.

Рис. 10. Схемв зврядв аккумулятора от солнечного элемента

-jtH*

Солнечная батарея

Рис. 12. Монитор напряжения питвния

источник

ПИТАНИЯ

1.0 к

Vref = 1.2 В1,

Рис. 11. Генератор ситалв сброса микропроцессора с дополнительным гистерезисом


4.3-+0.06 AVTH(LowEm= IORhX 10-где:

Rh 1.0 кОм 43 кОм Rl 4.3 кОм

Гистерезис компаратора может быть увеличен путем использования дополнительного резистора Rh. Уравнения для расчета гистерезиса упрощены и не учитывают изменения входного тока при переходе через порог срабатывания компаратора (Рис. 8) Некоторое увеличение нижнего порогового значения может быть обусловлено током типичное значение которого составляет 10 мкА при 4.3 В. Погрешность уравнений составляет ±10% при Rh менее 1.0кОми Rl4.3...43 кОм.

Рис. 13. Схема защиты полевого транзистора от пониженного напряжения на затворе с использованием МСЗх164-5

4.3 В


При помощи ЭТОЙ цепи можно избежать перегрева мощного полевого транзистора, вызванного недостаточным напряжением на его затворе. Когда входное напряжение не превышает порога срабатывания МСЗх164-5, выход микросхемы закорачивает затвор полевого транзистора на общий провод.

Рис. 14. Генерация сигнвла сброса микропроцессора


Путем добавления конденсатора Cdly может быть обеспечен задержанный сброс. Для систем с очень высокой скоростью нарастания напряжения питания (<500 не) рекомендуется обеспечить постоянную Времени RCdly более 5 мкс. V-h (mpu) представляет собой входной порог сброса микропроцессора.




ВТФ Петро ИнТрейд представляет SGS-THOMSON-MicroElectronics

поставки ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПЛЕКТУЮЩИХ ведущих зарубежных и отечественных производителей

Зарубежные

ANALOG DEVICES AMRI ENTERPRISE DALLAS SEMICONDUCTOR GENERAL INSTRUMENTS ITT SEMICONDUCTOR MOTOROLA SEMICONDUCTOR

PHILIPS SEMICONDUCTOR MAXIM

SGS-THOMSON MICROCHIP

SiPEX CORPORATION MITSUBISHI

TEXAS INSTRUMENTS MURATA

TELEFUNKEN PANASONIC

ALTERA SIEMENS

AMD SONY INTEL

NATIONAL SEMICONDUCTOR MATRA

Пал./факс <812) 310И7-78,310-51-51,3tO-29-i9 Представительство в Мосюю: тел. (095) 46#-7И[17

Отечественные

АО ЭЛИЗ АО АЛЬФА

ASTONDIELECTRONIKA АО ВИЛЬНЯУС ВЕНТА


МИКРОСХЕМЫ ДЛЯ ЛИНЕЙНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ ФИРМЫ SGS-THOMSON

Модель

Тип корпуса

Выходное напряжение [В]

Входное напряжение [В]

Выходной

ток, (max) [А]

Падение напряжения вход-выход,

(max) [В]

Температурная нестабилыюсть, (тах)[мВ/(С]

Ток короткого замыкания, (max) [А}

He менее

Типовое

Неболее

Не менее

Не более

L200

Pentawatt, ТО-3

2.85

-0.5

C78L00

S0-8, ТО-92

4.75

5.00

5.20

0.04

-0.8

L2605

ТО-220, S0T-82

5.00

-1.0

L2685

ТО-220, S0T-82

8.15

8.85

-1.0

L2610

ТО-220, S0T-82

10.0

10.4

-1.0

KF25

S0-8, DPACK

2.45

2.55

-0.6

KF27

S0-8, DPACK

2.646

2.754

-0.6

KF30

S0-8, DPACK

2.94

3.06

-0.6

KF33

SO-8, DPACK

3.234

3.366

-0.6

KF40

SO-8, DPACK

3.92

4.08

-0.6

KF47

SO-8, DPACK

4.606

4.794

-0.6

KF50

SO-8, DPACK

-0.6

KF52

SO-8, DPACK

5.096

5.61

-0.6

KF60

SO-8, DPACK

5.88

6.12

-0.6

KF80B

SO-8, DPACK

7.84

8.16

-0.6

KF120B

SO-8, DPACK

11.76

12.0

12.24

-0.6

L387A

Pentawatt

4.75

5.00

5.20

-0.5

L4901A

Heptawatt

4.75

5.00

L4902A

Heptawatt

4.75

5.00

L4903

DIP-8

4.75

5.00

L4904A

DIP-8

4.75

, 5.00

L4905

Heptawatt

4.75

5.00

L4915

Power DIP-8

11.0

0.25

L4916

Power DIP-8

0,25

L4918

Pentawatt

0.25

L4920

Pentawatt

1.25

5.20

0.14

L4921

DIP-8

1.25

5.20

0.14

L4922

Pentawatt

6.26

L4923

Heptawatt

L4931

TO-220, SO-8, DPAK, PPAK

1.25

12.0



микросхемы для линейных источников питания фирмы sgs-thomson

Модель

Тип корпуса

Выходное напряжение [В]

Входное напряжение [В]

Выходной

ток, (max) [А]

Падение напряжения вход-выход,

(max) [В]

Температурная нестабильность, (max) [мВДС]

Ток короткого замыкания, (max) (А)

He менее

Типовое

Не более

Не менее

Не более

L4925

Pentawatt

4.95

5.10

6.26

L4936

Multiwatt-11,DIP-12

4.95

5.00

5.10

L4937

Heptawatt

4.95

5.00

5.05

L4938

PowerDip, SO-20

4.95

5.00

5.10

0,55

L4940

TO-220

4.95

12.0

L4941

TO-220, SOT-82

5.00

5.20

0.55

-2,5

L4946

Multiwatt-11

10.0

10,3

24.0

7.75

16.0

4.85

14.0

L4945

TO-220

5.00

5.20

0.55

-1.5

L4950

TO-220

8.16

8.50

8.84

0.60

-1,5

L4951

TO-220

9.60

10.0

10.4

0.75

L4947R

Pentawatt

5.00

0.75

L4948

Multiwatt-11

10.5

0.96

L4949

DIP-8, SO-8

4.95

5.00

5.10

L4952

SO-20

0.15

10.0

10.5

0,15

L4953

Multlwatt-15

10.0

10.5

11.0

18.0

4.75

5.15

11.0

18,0

4.75

5.15

11.0

18.0

1 1.0

L4954

Multiwatt-15

10.0

10.5

11.0

18.0

0.04

11.0

18.0

0,175

4.75

11.0

18.0

0.65

4.75

5.15

11.0

18,0

L4955

Heptawatt, Versawatt

4.95

22.0

0.75

-1.1

L4956

Heptawatt

1.247

1,260

1.280

0,75

-1.3

L78XX

D2PAK, TO-220

5...24

-1.1

L78LXX

SO-8, TO-92

5...24

L78MXX

SO-8, TO-92, TO-220

5...24

L78SXX

TO-220, TO-3

5...24

L79XX

TO-220, TO-3

-5...-24

LExx

SO-8, TO-92

1,25.,.8.0

LFxx

Pentawatt, DPAK,

1.25...12.0

0.45

LK115DXX

SO-8

2.0...5.5

LD1117

SOT-23, SO-8, DPAK,TO-220

2.5...5.0

TDA8132

Heptawatt

11,76

12.0

12.24

TDA8133

SIP-9

0,75

7.84

8.16

0.75

TDA8134

Heptawatt

5/12

TDA8135

Heptawatt

5..14

TDA8136

Heptawatt

TDA8137

Heptawatt

2х 5.1

TDA8138

Heptawatt, SIP-9

5.1/12

TDA8139

SIP-9

2.8,..16

0.75



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 [110] 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128
Яндекс.Метрика