Рис. 10. Схемв зврядв аккумулятора от солнечного элемента
-jtH*
Солнечная батарея
Рис. 12. Монитор напряжения питвния
источник
ПИТАНИЯ
1.0 к
Vref = 1.2 В1,
Рис. 11. Генератор ситалв сброса микропроцессора с дополнительным гистерезисом
4.3-+0.06 AVTH(LowEm= IORhX 10-где:
Rh 1.0 кОм 43 кОм Rl 4.3 кОм
Гистерезис компаратора может быть увеличен путем использования дополнительного резистора Rh. Уравнения для расчета гистерезиса упрощены и не учитывают изменения входного тока при переходе через порог срабатывания компаратора (Рис. 8) Некоторое увеличение нижнего порогового значения может быть обусловлено током типичное значение которого составляет 10 мкА при 4.3 В. Погрешность уравнений составляет ±10% при Rh менее 1.0кОми Rl4.3...43 кОм.
Рис. 13. Схема защиты полевого транзистора от пониженного напряжения на затворе с использованием МСЗх164-5
4.3 В
При помощи ЭТОЙ цепи можно избежать перегрева мощного полевого транзистора, вызванного недостаточным напряжением на его затворе. Когда входное напряжение не превышает порога срабатывания МСЗх164-5, выход микросхемы закорачивает затвор полевого транзистора на общий провод.
Рис. 14. Генерация сигнвла сброса микропроцессора
Путем добавления конденсатора Cdly может быть обеспечен задержанный сброс. Для систем с очень высокой скоростью нарастания напряжения питания (<500 не) рекомендуется обеспечить постоянную Времени RCdly более 5 мкс. V-h (mpu) представляет собой входной порог сброса микропроцессора.
ВТФ Петро ИнТрейд представляет SGS-THOMSON-MicroElectronics
поставки ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПЛЕКТУЮЩИХ ведущих зарубежных и отечественных производителей
Зарубежные
ANALOG DEVICES AMRI ENTERPRISE DALLAS SEMICONDUCTOR GENERAL INSTRUMENTS ITT SEMICONDUCTOR MOTOROLA SEMICONDUCTOR
PHILIPS SEMICONDUCTOR MAXIM
SGS-THOMSON MICROCHIP
SiPEX CORPORATION MITSUBISHI
TEXAS INSTRUMENTS MURATA
TELEFUNKEN PANASONIC
ALTERA SIEMENS
AMD SONY INTEL
NATIONAL SEMICONDUCTOR MATRA
Пал./факс <812) 310И7-78,310-51-51,3tO-29-i9 Представительство в Мосюю: тел. (095) 46#-7И[17
Отечественные
АО ЭЛИЗ АО АЛЬФА
ASTONDIELECTRONIKA АО ВИЛЬНЯУС ВЕНТА
МИКРОСХЕМЫ ДЛЯ ЛИНЕЙНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ ФИРМЫ SGS-THOMSON
Модель
Тип корпуса
Выходное напряжение [В]
Входное напряжение [В]
Выходной
ток, (max) [А]
Падение напряжения вход-выход,
(max) [В]
Температурная нестабилыюсть, (тах)[мВ/(С]
Ток короткого замыкания, (max) [А}
He менее
Типовое
Неболее
Не менее
Не более
L200
Pentawatt, ТО-3
2.85
-0.5
C78L00
S0-8, ТО-92
4.75
5.00
5.20
0.04
-0.8
L2605
ТО-220, S0T-82
5.00
-1.0
L2685
ТО-220, S0T-82
8.15
8.85
-1.0
L2610
ТО-220, S0T-82
10.0
10.4
-1.0
KF25
S0-8, DPACK
2.45
2.55
-0.6
KF27
S0-8, DPACK
2.646
2.754
-0.6
KF30
S0-8, DPACK
2.94
3.06
-0.6
KF33
SO-8, DPACK
3.234
3.366
-0.6
KF40
SO-8, DPACK
3.92
4.08
-0.6
KF47
SO-8, DPACK
4.606
4.794
-0.6
KF50
SO-8, DPACK
-0.6
KF52
SO-8, DPACK
5.096
5.61
-0.6
KF60
SO-8, DPACK
5.88
6.12
-0.6
KF80B
SO-8, DPACK
7.84
8.16
-0.6
KF120B
SO-8, DPACK
11.76
12.0
12.24
-0.6
L387A
Pentawatt
4.75
5.00
5.20
-0.5
L4901A
Heptawatt
4.75
5.00
L4902A
Heptawatt
4.75
5.00
L4903
DIP-8
4.75
5.00
L4904A
DIP-8
4.75
, 5.00
L4905
Heptawatt
4.75
5.00
L4915
Power DIP-8
11.0
0.25
L4916
Power DIP-8
0,25
L4918
Pentawatt
0.25
L4920
Pentawatt
1.25
5.20
0.14
L4921
DIP-8
1.25
5.20
0.14
L4922
Pentawatt
6.26
L4923
Heptawatt
L4931
TO-220, SO-8, DPAK, PPAK
1.25
12.0
микросхемы для линейных источников питания фирмы sgs-thomson
