Слаботочка Книги

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 [38] 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128

Параметр

Условия

Значения

Единицы измерения

нс mohgo

типовое

не более

Минимальный ток нагрузки

(ViN-VoaT) = 25B

Тепловая нестабильность

LT1083

Та - 25*С, импульс 30 мс

0.002

0.01

%/Вт

LT1084

0.003

0.015

%/Вт

LT1085

0.004

0.02

%/Вт

Коэффициент подавления нестабильности напряжения питания

f= 120 Гц, Cadj = 25 мкФ, Соит = 25 мкФ (танталовый), W= fe, (V,n-VouT) = 3B(nphm.5)

Ток через вывод ADJ

rj=25-C

Изменение тока через вывод ADJ

10 мА <lasj< Ipi, 1.5 < (V,n - Уо1я) < 25 В, (Прим. 5)

Температурная стабильность

Долговременная стабильность

rl 25C, 1000 часов.

Среднеквадратичное выходное напряжение помехи (в % от Vqut)

Ta= 25C, 0.01 f 10 кГц

0.003

%

применения:

1. См. спецификации тепловой нестабильности, т.к. в выходном напряжении из-за влияния нагревания происходят изменения. Нестабильность по напряжению и току измеряется при постоянной температуре кристалла с помощью импульсов с малой длительностью рабочего цикла.

2. Нестабильность по напряжению и току гарантируется для максимальной мощности рассеивания (60 Вт для LT1083,45 Вт для LT1084(K, Р-суффикс), 30 Вт для LT1084 (Т-суффикс) и для LT1085). Мощность рассеивания определяется разностью напряжений вход-выход и выходным током. Максимальная мощность рассеивания не гарантируется в полном диапазоне напряжений вход-выход.

3. Зависимости для тока Ifl показаны на графиках в следующем разделе. Функция /я. определеяется, как зависимость минимального значения ограничения тока от выходного напряжения. Заметим, что мощность рассеивания (60 Вт для LT1083, 45 Вт для LT1084 (К, Р-суффикс), 30 Вт для LT1084 (Т-суффикс) и для LT1085) достижима только в ограниченном диапазоне напряжений вход/выход,

4. Падения напряжения вход-выход определяется для полного диапазона выходного тока устройства. Точки и пределы измерения показаны на кривой зависимости напряжения вход-выход от выходного тока.

5. Для LT1083 /д. = 5 а для -55 Tj -40С и /д. = 7.5 а для Tj э= -40С.

ТИПОВЫЕ РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Рис. 1. Характер зависимости падения напряжения вход-выход от выходного тока

(Vin-Vout)min. в

Ifullload/2 Irullload lout.A г*

Рис. 2. Зависимость минимального падения нвпр 1жения вход-выход от выходного тока для LT1083

(Vin-Vout)m(n, в


Рис. 3. Зависимость тока короткого замыкания от падения напряжения вход-выход для LT1083

Isc. А

Tj=25-C-

Tj= 150-С.


10 15 20 25

ViN-VouT. в

Рис. 4. Зависимость нестабильности по току от температуры для LT1083

0,10 0.05

-0.05 -0.10 -0.15 -0,20

одуоит

41 =

7.5/

-50 -25 О 25 50 75 ЮО 125 150

J -Q SU2Ae04

Рис. 5. Зависимость минимального падения напряжения вход-выход от выходного тока для LT1084

(Vin-Vout)min. в


Рис. 6. Зависимость тока короткого замыкания от падения напряжения вход-выход для LT1084

Isc, А

Tj=150*C


10 15 20 25

vin-vout. в

интегральные



ТИПОВЫЕ РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Продолжение)

Рис. 7. Зависимость нествбильности по току от температуры для LT1084

0.10 0.05 О

-0.05 -0.10 -0.15 -0.20

%aVout

5а

-50 -25 О 25 50 75 100 125 150

J -Q SU2AO07

Рис. 8. Зввисимость минимального падения напряжения вход-выход от выходного тока для LT1085

(Vin-Vout)min. в

Гарантированные контрольные точки

-55-CsTj S 150*0

.OCsTj <125-С


Tj = 25C

Tj=-55-C-

Tj =150-0

out. A

S (42*006

Рис. 9. Зввисимость тока короткого замыкания от падения напряжения вход-выход для LT1085

Isc, А

= 150*

Tj =

25*0

Tj = -5

5 С

fulllo/

>

5 10 15 20 25 30 35

Рис. 10. Зввисимость нествбильности по току от температуры для LT1085

0.05 О

-0.05 -0.10 -О 15

% iVouT

-0.20

л1 =

-50 -25 О 25 50 75 100 125 150

Рис. 11 Зависимость минимального рабочего тока от падения напряжения вход-выход

Imin. мА

Т, = 25*0

Tj= 150*0


Tj = -55*0-

15 20 25

vin-vout, в

30 35

sh2agu

Рис. 12. Зввисимостьвеличины опорного напряжения от температуры

1.27

1.26

Vbef. в

1.23

-50 -25 О 25 50 75 100 125 150

100 90 80 70 60 50 40 30 20 Ю О

Рис. 13. Зависимость токв регулировки от темпервтуры

Iadj. мкА

-50 -25 О 25 50 75 100 125 150

J S142Aei3

Рис. 14. Зависимость коэффициента

подавления нестабильности напряжения питвния от частоты.для LT1083

100 90 80 70 60 50 40 30 20 10

Коэффициент подавления пульсаций, дБ i нии-i i 11mil i Размвх пульс. 3 В


Cadj = 200 мкф на частоте < 60 Гц

Oadj = 25 мкф на частоте > 60 Гц - 1оит=7А

0.01

1,кГц

10 100

Рис. 15. Зависимость коэффициента подавления нествбильности нвпряжения питания от выходного токв для LT1083

100 90

80 70 60 50 40 30 20 10 О

Коэффициент подааления пульсаций, дБ

мвхп

улье.

= 120

20 КГ

мах п

льс.-

- Vo,

oui -

Cadj = 25 мкф

Соит =25 мкф

1 1 1

О 1

2 3 4 5 lout. А

7 8

SMZAGIS

интегральные

микросхемы



ТИПОВЫЕ РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Продолжение)

Рис. 16. Зааисимостьмаксимальной мощности рассеивания от температуры корпуса для LT1083

Ро(мах). Вт


80 100 120

tcase. С

Рис. 17. Зависимость коэффициента

подавления нестабильности напряжения питания от частоты для LT1084

100 90 80 70 80 50 40 30 20 10

Коэффициент подавления пульсаций, дБ

i пии-1 I i i 1п11

Размах пульс. < 3 в


Cadj = 200 мкФ на частоте < 60 Гц

Cadj = 25 мкФ на частоте > 60 Гц к 1оит= 5 а

0.01

f, кГц

100 зиглап

Рис. 18. Зависимость коэффициента подавления нестабильности напряжения питания от выходного тока дляи1084

Коэффициент подавления пульсаций, дБ

оит. а

Размах пульс. <

= 120 Гц

f = 20 КГц

Размах пульс.

<0.5 в

- VouT = Cadj -Соит~

25мкФ

25мкФ

SUSAQIB

Рис. 19. Зависимость максимальной мощности рассеивания от температуры корпуса для LT1084

Ро(мах). Вт


60 80 100 120 140

tcase,-C s

Рис. 20. Зависимость коэффициента

подавления нестабильности напряжения питания от частоты для LT1085

Коэффициент подавления пульсаций, дБ

1-i i i mil-i 1 i ним-i-гпт Размах пульс.<3 в Размах пульс <0.5В


(Vin-Vout) 53в

(Vin-Vout)5Vdrop-

Cadj = 200 мкф на частоте < 60 Гц Cadj = 25 мкФ на частоте > 60 Гц 1оит=за-

0.01

f, кГц

10 100

Рис. 21. Зависимость коэффициента подавления нестабильности напряжения питания от выходного тока для LT1085

100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 О

Коэффициент подавления пульсаций, дБ

размах пульс. < 3 в~

f=20 кГц

VouT= 5 В-Сам=25мкФ Соит= 25 мкФ~

\ L

f= 120 Гц

1.5 out. а

2.5 3

S142AG21

Рис. 22. Зависимость максимальной мощности рассеивания от температуры корпуса для LT1085

Ро(мах). Вт

)85С

)85С

60 80 100 120 140

tcase, -С 2*<кг

Рис. 23. Переходная нагрузочная характеристика для LT1083

Vout, в

0.6 0.4 0.2 О

-0.2 -0.4

lout, а

1 1 :

n=13 в оит= 10 В

г гт- 1г1п м д

n= 1 мк(

Cadj = 0

Соит,= ЮмкФ

-г. 1 = 1

(т

t, МКС

Рис. 24. Переходная нагрузочная характеристика для LT1084

iVouT, В

lout, а

Cadj= 1 мкф





1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 [38] 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128
Яндекс.Метрика