![]() | |
Слаботочка Книги 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 [45] 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 ТИПОВЫЕ РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Рис. 1. Зависимость расеиваемой мощности от температуры окружающей среды (для PQ30RV1/PQ30RV11) Pd. Вт ![]() О 20 40 60 80 100 Та, С s144ag01 Рис. 2. Зависимость расеиваемой мощности от температуры окружающей среды (для PQ30RV2/PQ30RV21) Pd. Вт
-20 О 20 40 60 80 100 j-Q s144a002
Рис. 4. Характеристики схемы токовой защиты (для PQ30RV2/PQ30RV21) %Vdut, в 2.0 louT. А 3,0 4.0 S(*MG04 Рис. 5. Характеристики регулирования выходного напряжения (См. Рис. 21) Vour. в R1 = 390Om ![]() 10 10= si44ag0s Рис. 6. Зависимость изменений опорного напряжения от температуры кристалла uVref. мВ V,n=15B i R1=390Om R2=2.7kOm - louT = 0.5A(PQ30RV1/11) louT=lOA(PQ30RV2/21) -25 0 25 50 75 100 125 Рис. 7. Зависимость выходного напряжения от входного напряжения (для PQ30RV1/PQ30RV11) Vout. в
10 15 20 V,n, в 5- °° Рис. 8. Зависимость выходного напряжения от входного напряжения (для PQ30RV2/PQ30RV21) Vour. в
10 Vin, в 15 20 S1A*AG0S Рис. 9. Зависимость разности напряжений вход-выход от температуры кристалла (для PQ30RV1/PQ30RV11) ViN-VouT. в ![]() ТИПОВЫЕ РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Продолжение) Рис. 10. Зависимость разности напряжений вход-выход от температуры кристалла (для PQ30RV2/ PQ30RV21) ViN-VouT. в ![]() Рис. 11. Зааисимость тока потребления от температуры кристалла 1о. мА
25 50 75 100 125 Tj,-C St44Aen Рис. 12. Зависимость коэффициента подавления пульсаций от частоты (для PQ30RV1/PQ30RV11) Коэффициент подавления пульсаций, дБ ViN= 15 В e,n = -0.5B 1out=0.5a[ R1 = 390 Ом - R2=2.7kOm Tj = 25C I [ I I CflEF=3.3MK0 ![]() 1,кГц 5t44MGt2 Рис. 13. Зависимость коэффициента подавления пульсаций от частоты (для PQ30RV2/PQ30RV21) Коэффициент подавления пульсаций, дБ ![]() f, кГц Рис. 14. Зависимость коэффициента подавления пульсаций от выходного токв (для PQ30RV1 /PQ30RV11) Коэффициент подавления пульсаций, дБ
0.4 0.6 out. a 0.8 1.0 St44Aei4 Рис. 15. Зависимость коэффициента подавления пульсаций от выходного тока (для PQ30RV2/PQ30RV21) Коэффициент подавления пульсаций, дБ
1.0 louT. А 1.5 2.0 S144AG1S Рис. 16. Зависимость пикового выходного тока от разности напряжений вход-выход (для PQ30RV1 /PQ30RV11) Ьит (peak), А
5 10 15 Vn-VouT. В Sf*MGf6 Рис. 17. Зависимость пикового выходного тока от разности напряжений вход-выход (для PQ30RV2/PQ30RV21) outpeak. А
5 10 ViN-VouT, в SliiAGU Рис. 18. Зависимость пикового выходного тока от температуры кристалла (для PQ30RV1/PQ30RV11) louTPEAK ( при Vout = 0.95 VouTNOM), А ViN-VouT=5B. ![]() - R1 = 390Om - - R2=2.7kOm- Tj,-C 75 100 125 5Г4 40Гв ТИПОВЫЕ РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Продолжение) Рис. 19. Зависимость пикового выходного тока от температуры кристалла (для PQ30RV2/PQ30RV21) оит PLAK ( При vout = 0.95 vqut nom ), А ![]() 25 50 75 100 125 Jj С SU4AGt9 СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ 0 33 Рис. 21. Схема тестирования vin vout PQ30RV1/2 vout r1 390 47 0 vref R. 0 Рис. 22. Схема тестирования с подавлением пульсаций vin -г vin vout PQ30RV1/2 r1 390 +11 vout louT Рис. 23. Основная схема включения Cn 0 33 in vou, PQ30RV1/2 R2 +1 Cre Rl 390 -o vout НАЗНАЧЕНИЕ КОМПОНЕНТОВ ДЛЯ ОСНОВНОЙ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ D1 Этот диод необходим для защиты стабилизатора от повреждения в случае закорачивания входа, когда к стабилизатору может быть приложено обратное напряжение (с емкости Соит)- Cref Этот конденсатор применяется, если необходимо, для увеличения коэффициента подавления пульсаций или увеличения времени задержки запуска. Применять, с осторожностью, т к. емкость Cref может повышать усиление, облегчая возникновение колебаний. Примечание: Время запуска пропорционально Crff R2, Рис. 20. Зависимость выходного напряжения от напряжения управления т. в v,n= 17В Rl.= 52 Ом R1 = ЮкОм R2= 115кОм R3=0 D2=1S2076A vcnt. в si44ac20 cin, Соит Необходимо убедиться, что конденсаторы Cin и Соит установлены как можно ближе к выводам микросхемы, чтобы предотвратить самовозбуждение. Типовые значения Qn и Соит - 0.33 мкФ и 47 мкФ, соответственно. Однако, их можно изменять по мере необходимости после проверки работоспособности. R1, R2 Эти резисторы необходимы для установки выходного напряжения. Выходное напряжение Vqut определяется следующей формулой: Vout= Уй (Типовое значение Vbef = 1.25 В) Стандартный номинал R1 - 330, но увеличение номинала резистора до 10 кОм не причинит никаких неприятностей. ДИСТАНЦИОННОЕ УПРАВЛЕНИЕ ВКЛЮЧЕНИЕМ\ВЫКЛЮЧЕНИЕМ Можно организовать дистанционное управление Включени-ем\Выключением, с помощью установки внешних элементов D2 и R3. Когда напряжение yoj поднимается выше напряжения Увег (типовое значение Ург = 1.25 В) внешним сигналом, выход выключается (проходной транзистор стабилизатора закрыт). Для того, чтобы выход был выключен, напряжение 1/дси должно быть выше чем VpiEF (max), и в то же время должно быть ниже, чем максимальное значение Vadj = 7 В. В выключенном состоянии ток сигнала управления течет от Vadj через R2 и Rl. Поэтому, значение R2 должно быть настолько велико, насколько возможно. Когда выход выключен, напряжение, приложенное к нагрузке, равно: ![]() Уоит= Уа Rl + R2 Рис. 24. Схема дистанционного управления Вл ючен и ем\Выкл ючен и ем v,n vout PQ30RV1/2 vadj, соит -о vout 1 X -о vc выкл, вкл, интегральные 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 [45] 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 |
|