![]() | |
Слаботочка Книги 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 [49] 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Микросхемы стабилизаторов фиксированного напряжения серии мАТЭхх имеют защиту от тепловой перегрузки при превышении допустимой рассеиваемой мощности, встроенную схему защиты от КЗ, которая В этом случае ограничивает выходной ток, а также отслеживание области безопасной работы выходного транзистора путем уменьшения предельного выходного тока при возрастании напряжения на регулирующем транзисторе. Несмотря на встроенный ограничитель рассеиваемой ИС мощности, температура кристалла, в соответствии со справочными данными, не должна превышать 150С для pATQxx и 125*С для рАУдххС. При вычислении максимальной температуры кристалла и расчете радиатора, следует использовать следующие значения теплового сопротивления:
Ро {max)- ( ах) - радиатора Ат-Тл. СА - все + SA- Совместное решение приведенных выше уравнений позволяет получить формулу для вычисления Ту. Tj = + Pd (jc + вел) или без радиатора Та + Pdja, где: Tj -Температура кристалла; Та -Температура окружающей среды; Ро - Рассеиваемая мощность; ©j- Тепловое сопротиаление кристалл-среда; ®jc - Тепловое сопротивление кристалл-корпус; ®сл - Тепловое сопротивление корпус-среда; вс5- Тепловое сопротивление корпус-радиатор; взА - Тепловое сопротивление радиатор-среда. ТИПОВЫЕ РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Рис. 1. Зависимость рвссеиввемой мощности от темпервтуры окружающей среды (для наихудшего случая) для корпуса ТО-220 Pd.Bt ![]() 125 150 SISOAOOt Рис. 2. Зааисимость рассеиваемой мощности от температуры окружающей среды (для наихудшего случая) для корпуса ТО-3 Pd.Bt ![]() 125 150 SISOAOK Рис. 3. Зааисимость разности напряжений вход-аыходот температуры кристалла V -VooT(min),B ![]() iVooT = 5%OTVooT 1 \ I I -50 О 50 100 150 .Q SISOAOOS Рис. 4. Зааисимость изменения аыходного напряжения от температуры кристалла 0.20 0.15 0.10 0.05 О -0.05 -0.10 -0.15 -0.20 iVouT. В
-50 0 50 100 150 Tj, -C S150AO04 Рис. 5. Зааисимость максимального аыходного тока от разности напряжений вход-аыход 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 lour (max), А
10 15 20 25 30 V,N-VouT. В Рис. 6. Зааисимость аыходного сопротивления от частоты Гоит. Ом : 1оот = 100мА :VooT = -5B Tj=25-C Соит = 1 мкф (танталовый) Соит = 25 мкф (алюминевый): 10-2 10- 1 10 102 10* f, кГц /504005 интегральные ТИПОВЫЕ РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Продолжение). Рис. 7. Зависимость коэффициенте подавления пульсаций от частоты Коэффициент подавления пульсаций, дБ ![]() VouT = -12...-24B -iViN=10B(p-p) lour = 200 мА Tj=25-C 0.01 f, кГц 10 100 SISOAGO? Рис. 8. Зввисимость коэффициентв подавления пульсаций от выходного нвпряжения Коэффициент подавления пульсаций, дБ
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 f, кГц SISOAGOa Рис. 9. Переходнвя хврвктеристикв при изменении тока нвгрузки iVouT, В louT. А
20 30 t, МКС 40 50 S1S0Ae09 Рис. 10. Переходная харвктеристикв при изменении входного напряжения iVouT, мВ ViN, в
40 60 t, МКС 80 100 S1S0AG10 Рис. 11. Зависимость токв потребления от входного нвпряжения 1о, мА
О 5 10 15 20 25 30 35 40 VN, В SrSOAOrr Рис. 12. Зависимость токв потребления от температуры 1о,мА
50 Та.-С 100 150 ТИПОВЫЕ СХЕМЫ ПРИМЕНЕНИЯ - Для обеспечения устойчивой работы микросхем серии рАУЭхх во использовании алюминиевых электролитических конденсаторов, всем диапазоне допустимых значений входного напряжения и вы- их емкость должна быть не менее 10 мкФ. Монтаж конденсаторов ходного тока рекомендуется применять шунтирующие на землю должен выполняться, по возможности, непосредственно рядом с конденсаторы. Предпочтительнее использовать керамические или соответствующими выводами стабилизатора, предельно коротки- танталовые конденсаторы (2 мкф на входе и 1 мкф на выходе), так ми проводниками, как они имеют хорошие характеристики на высоких частотах. При Рис. 13. Ствбилизвтор с фиксированным выходным нвпряжением -О Vout 1,0 Рис. 15. Бвзоввя схемв стабилизаторв тока V,n О- 5.0 В lour Рис. 14. Полнвя схема ствбилизвтора отрицательного выходного нвпряжения -о -Vq vovt -о +VouT Рис. 16. Ствбилизвтор напряжения нв большой ток нвгрузки Iqi q. Iqut V,n О-г-W /-1-О Vout 2N3055
интегральные Рис. 17. Стабилизатор на большой ток нагрузки с защитой от КЗ Vin О R1 У 2N6121 VV 2N3055 { )iA79xx O Vout SI50AA0S Рис. 19. Стабилизатор с регулируемым аыходным напр11жением йАТвкх lVouTl = Vxx(1+f-) + loR2 -о Vout Рис. 21. Стабилизатор с аыходным напряжением регулируемым а пределах -7...-30 В = 1.0к -о Vout Рис. 18. Стабилизатор на большой ток нагрузки с аозвратной характеристикой ограничения тока КЗ <3 Vout ![]() Рис. 20. Стабилизатор с аыходным напряжением регулируемым а пределах -0.5...-10 В ViN*-12B R4 910 9.1 к И.Ок ![]() 10 к -о Vout Рис. 22. Схема даухполярного стабилизатора на ±15 В притоке 1.0 А + 20 в О- -20 В О- 0.33 : 2.0 i типа 1 -Г- 1N4001 i типа 10-1- 1N4001 -О -15В Выход интегральные 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 [49] 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 |
|