|
| |
|
Слаботочка Книги 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 [58] 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Типовые схемы применения 142ЕН6 приводятся на Рис. 1 и Рис. 2. Схема на Рис. 1 предпочтительнее, т.к. она не требует подбора емкостей. Нагрузка может быть подключена как к одному из каналов, так и к двум каналам одновременно. При подключении нагрузки только к положительному каналу входное напряжение на отрицательном канале должно быть: \V,n\ \ Уоит\ + оя(т/п) При подключении нагрузки только к отрицательному каналу входное напряжение на положительном канале не должно быть меньше 10 В. При подключении нагрузки одновременно к двум каналам допускается эксплуатация микросхем как при несимметричных входных напряжениях, так и при несимметричной нагрузке при соблюдении предельно допустимых режимов эксплуатации, а также соотношения: \V,n(min)\ > \Vout\ + \ VDR(min)\ С помощью внешнего переменного резистора, включаемого между выводами CNTR и GND (Рис. 3) и CNTR и -V,n (Рис. 4), можно регулировать выходные напряжения в диапазоне ±5...±15 В (Рис. 3) и ±15...±20 В (Рис. 4). СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ Рис.1. Типовая схема включения (вариант 1) -Vin О 1 -I-C2 С4 СЗ О-Vour -о GND Рис. 2. Типоввя схемв включения (варивнт 2) -o+VouT -VinO- GNDO-* -L-C1  СЗ Zc5 -Lce°- ° --OGND Рис. 3. Схема регулируемого стабилизвторв с оот=±5...±15В  >+VBblX С6 -O-VBbix Рис. 4. Схема регулируемого стабилизаторв с Vour= ±15...±20 В +VbxO- -VbxO GNDO- L C2 -о+Увых -О-Увых -OGND  NE5553/5554 Philips Semiconductors двупоЛЯРНЫЙ СТАБИЛИЗАТОР НАПРЯЖЕНИЯ ОСОБЕННОСТИ ЦОКОЛЕВКИ КОРПУСОВ * Выходной ток.............................................доЗООмА * Встроенная схема офаничения тока * Встроенная схема тепловой защиты * Входное напряжение ........................................до ±32 В * Разбаланс выходов..........................................1 % (typ) * Внешнее управление балансировкой * Установка выходных напряжений...............................5...20 В * Не требуется никаких внешних компоиенгов * Ток короткого замыкания.......................................400 мА * Возможность использования радиатора ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ Микросхемы NE5553/5554 являются двуполярными следящими стабилизаторами, специально сконструироваными для производства как сбалансированных, так и несбалансированных выходных напряжений от 5 до 20 В при выходных токах до 300 мА. Подобно фиксированным стабилизаторам серий 7ВМхх и 79Мхх, приборы серии NE5553/5554 могут быть установлены на фиксированные напряжения. Сбалансированные фиксированные напряжения, установленные по умолчанию, для NE5553 равны ±12 В и для NE5554 - ±15 В. Имея встроенные схемы ограничения тока и тепловой защиты, эти двуполярные стабилизаторы идеальны для получения стабилизированных напряжений непосредственно на плате. СТРУКТУРНАЯ СХЕМА NE5554 GNDO-Ш- Ш-О +VOUT ± о ДляМЕ5553:7к дляМЕ5554. 14 к Нумерация выводов дана для корпуса SIP-9 Ш-О CNTR К ф-O-VouT Пластмассовый корпус типа: DIP-14 (вид сверху) Положительный вход ГГ не подключен п.с. [Т Общий GND [Т Отицательный вход -Vin ГТ не подключен п.с. [Т не подключен п.с Гб не подключен п.с. [Т  +VouT Положительный выход BAL Балансировка CNTR Регулировке выхода -Vqut Отрицательный выход п.с. не подключен п.с. не подключен п.с. не подключен siboacoi Металлостеклянный корпус типа: ТО-ЭЭ (вид снизу) Положительный выход +Vout Балансировка BAL Регулировка выхода CNTR Отрицательный выход -Vqut  +VN Положительный вход п.с. не подклкэчен GND Общий -ViM Отицательный вход Пластмассовый корпус типа: SIP-9 3 +VM Положительный вход +VouT Положительный выход п.с. не подключен 1 BAL Балансировке выхода CNTR регулировка выхода GND Общий 1 п.с. не подключен 2 -Vout Отрицательный выход iN Отрицательный вход Тепловое сопротивление корпусов
Минимальные значения сопротивлений, не приводящие к повреждению прибора (см. Рис. 10)
 МАКСИМАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ И РЕЖИМОВ
интегральные микросхемы ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ При Vm = ±20 В, It = 100 мА, Tj = 25С, С,=Соит=ОЛ мкФ, если не указано иначе. Для8Е5553/МЕ5553
Для SE5554/NE5554
Примечания: 1. Диапазон температур кристалла SE-вариант -55 =s Tj =s 150С NE-вариант О =s Tj =s 125С 2. Конденсатор Cin требуется только, когда микросхема удалена от конденсаторов фильтра. Конденсатор Cqut, требуется только для улучшения динамической стабилизации. СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ. Рис. 10. Типовая схема включения С1 0.1 С2-0.1 NE5553/4 -V,n BAL CNT -Vout 03 0.1 +VOUT -O -Vout Соотношение Rl и R2 устанавливает величину + Vour относительно -Vour, Соотношение R3 и R4 устанавливает величину -Vour в дипазоне -5...-20 В. Рис. 11. Следящий ствбилизатор с повышенной нагрузочной способностью 01 2N4906 + V,n о- С1 0.1 С2. 0.1 11 2.7 Win +V0UT NE5553/4 -V,n -Vout -О +VouT Q2 2N3055 -О -Vou lour {max] IpEG (max) IflEG {max) [p + 1] - lour (max) интегральные микросхемы 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 [58] 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||