Слаботочка Книги

1 2 3 4 5 6 7 [8] 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128

для МА78М24:

При = 33 В, lou7-= 350 мА, С/ = 0.33 мкФ, Соиг 0.1 мкФ, О Tj +125Х, если не указано иначе.

Символ

Параметр

Условия

Значение

Единицы

типовое

не более

измерения

Выходное напряжение

Tj = 25С

23.0

24.0

25.0

2B<ViN<2BB,Б<1оит<2м

22.8

25,8

VftLINE

Нестабильность по входному напряжению

Tj = 25 С, 27 =5 Vi< 38 В, 1оит= 200 мА

Tj = 25 С, 30 =51/ =5 36 В, louT 200 мА

Vft LOAD

Нестабильность по току нагрузки

7j=25C, 5=s/ou :500mA

7j=25 C,5=s burs 200мА

Ток потребления

7j = 25-C

Изменение тока потребления

При изменен вх. напр 28 < Vm < 38 В, 1оит= 200 мА

При изменен, тока нагр., 5 ; /оиг* 350 мА

Напряжение шумов на выходе

Та = 25С. 0.01 =5100 кГц

mkB/Vout

Коэффициент подавления пульсаций

f = 120 Гц, 28 =5 Vin 4= 38 В, /оиг= ЮО мА

f= 120 Гц, 28 =5 Vin 38 В, /оит = 300 мА, Tj = 25С

Падение напряжения вход-выход

7j = 25С,/оит = 350 мА

IpEAK

Пиковый выходной ток

7j = 25C

Среднее значение ТК выходного напряжения

/our = 5 мА, -55 =5 7j <+25С

MB/C/Vout

/оиг=5мА, +25 ;7-j :+150C

mB/C/Vout

IsHORT

Ток КЗ

7j = 25C, N = 35 6

ДЛЯ MA79M24C:

При Vm = 33 В, lour = 350 мА, = 0.33 мкФ, Cqut =

0.1 мкф, 0 Tj -(-125Х, если не указано иначе.

Символ

Параметр

Условия

w па -tv чис

Единицы

не менее

не более

измерения

типовое

Выходное напряжение

7j = 25C

23.0

24.0

25.0

27Sl/,NS38B,5S/oi;rS 350MA

22,8

25.2

Vr Line

Нестабильность по входному напряжению

Tj = 25С, 27 =5 Vi =s 38 В, 1оит= 200 мА

Tj -- 25С, 28 =51/ =5 38 В, /оиг= 200 мА

Vrload

Нестабильность по току нагрузки

7 = 25С,55/о(л-5 500мА

7j = 25С, 5 =5/оиг =5 200 мА

Ток потребления

7j = 25C

Изменение тока потребления

При изменен, вх. напр 27 1 38 В

При изменен тока нагр., 5 1оит 350 мА

Напряжение шумов на выходе

7л = 25С, 0.01 =5 f =5100 кГц

AViAVo

Коэффициент подавления пульсаций

f = 120 Гц, 28 S V,n : 38 В, /оиг= ЮО мА

f = 120 Гц, 28 =51/, =5 38 В, louT = 300 мА, Tj = 25С

Падение напряжения вход-выход

7j = 25C

IpEAK

Пиковый выходной ток

7j = 25C

IsHOftT

Ток КЗ

7j=25C, l,N = 35B

AVq/AT

Среднее значение ТК выходного напряжения

/ou7- = 5mA

-1.2

мВ/С

РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ

Микросхемы стабилизаторов фиксированного напряжения серии цА7ВМхх имеют защиту от тепловой перегрузки при превышении допустимой рассеиваемой мощности, встроенную Схему защиты от КЗ, которая в этом случае ограничивает выходной ток, а также отслеживание области безопасной работы выходного транзистора путем уменьшения предельного выходного тока при возрастании напряжения на регулирующем транзисторе.

Несмотря на встроенный ограничитель рассеиваемой микросхемой мощности, температура кристалла, в соответствии со справочными данными, не должна превышать 150°С для рА78Мхх и 125°С для рА78МххС. При вычислении максимальной температуры кристалла и расчете радиатора, следует использовать следующие значения теплового сопротивления, приведенные в Табл. 1.

Ро{тах) =

{Tj{max)-TA)

(Qjc + вел) или без радиатора: Tj {max) - Та

где: всА = вез + ввл

Совместное решение приведенных выше уравнений позволяет получить формулу для вычисления Tj :

Tj=Ta + Pd {Gjc + Sca)

или без радиатора:

Та + Ро QjA,

где:

Tj - Температура кристалла;

Та - Температура окружающей среды;

Pq - Рассеиваемая мощность;

djA - Тепловое сопротивление кристалл-среда;

djc - Тепловое сопротивление кристалл-корпус;

всА - Тепловое сопротивление корпус-среда;

вез ~ Тепловое сопротивление корпус-радиатор;

взА - Тепловое сопротивление радиатор-среда.



Табл.1.

Тип корпуса

Тепловое сопротивление кристалл-корпус вс [с/Вт]

Тепловое сопротивление кристалл-среда bja [с/вт]

типовое значение

максимальное значение

типовое значение

максимальное значение

ТО-39

\---

ТО-220

J

ТО-202

ТИПОВЫЕ СХЕМЫ ПРИМЕНЕНИЯ

Типовые схемы применения аналогичны схемам, приведенным для микросхем серии аА78хх. См. стр. 22.

ТИПОВЫЕ РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Рис. 1. Зависимость рассеиваемой мощности от температуры окружающей среды (для наихудшего случая) (ТО-39)

Pd, Вт

78М00С


75 100 125 150

J -С S.lMGOr

Рис. 2. Зависимость рассеиваемой мощности от температуры окружающей среды (для наихудшего случая) (ТО-220)

Pd- Вт


75 100 125 150

Рис. 3. Зависимость рассеиваемой мощности от температуры окружающей среды (для наихудшего случая) (ТО-202)

Pd, вт


75 100 125 150


Рис. 4. Типовая зависимость рассеиваемой мощности от температуры окружающей среды (ТО-202)

Pd, вт


100 125 150

Рис. 5. Зависимость максимального выходного тока от разности напряжений вход-выход

lout(MAX). А


О 5 10 15 20 25 30 V,n-VoUT.B

Рис. 6. Зависимость разности напряжений вход-выход от температуры кристалла

V,n-VouT, в


iVouT=5%OTVouT 1 \ \ 1

-75 -50 -25 О 25 50 75 100 125 150 175

Tj,-C SMMG09

интегральные

микросхемы



ТИПОВЫЕ РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Продолжение)

Рис. 7. Зависимость выходного напряжения от температуры кристалла

VouT, В

12.16 12.12 12.08 12.04 12.00 11.96 11.92 11.88 11.84

.....1

V,n=19B

VouT= 12 В

1 - г ..А

j 1

1 1

-50 О 50 100 150

-Q SIUAGOJ

Рис. 8. Зависимость выходного напряжения от входного напряжения

VouT, В

VouT =

- /1

1оит=40 м

Л

оит-

0 {

/ ч1

т= ЮОм

О 2 4 6 8 10

VN. в

Рис. 9. Зависимость коэффициента подавления пульсаций от частоты

Коэффициент подавления пульсаций, дБ


10 100

SlttAGOe

Рис. 1 о. Переходная характеристика при изменении тока нагрузки

iVouT. В

ilouT. А

VN= ЮВ

VouT=5B

о 10 20 30 40 50 t, МКС

niAGIO

Рис. 11. Переходная характеристика при изменении входного напряжения

iVouT, MB

iViN, в

l i

1оит= 500 мА

VouT=5B 1

1 1 1 1

2 4 6 8 10 12 t.MKC srrMGri

Рис. 12. Зависимость тока потребления от аходного напряжения

iq, МА

VouT 1оит =

= 5Е

20 мА

= 25-С

.. i

10 15 20 25 30 35

V,N,B

Рис. 13. Зависимость тока потребления от температуры

iq, мА

4.8 4.7 4.6 4.5 4.4 4.3 4.2 4.1 4.0

1 1

VN= 10B VouT=5B

1 - onn л

Л - £

1 1

50 Тд.-С

100 150

1нтегральные



1 2 3 4 5 6 7 [8] 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128
Яндекс.Метрика