|
| |
|
Слаботочка Книги в области \х1,Ь, 1/зу4 распределение вероятностей для у принимает вид В области I,5<4, 3/4<f/7 распределение вероятностей для таково: 6]/ --l-s Результирующее распределение для i/ приведено на рис. П2.1. Приложение 3 Входные параметры для примеров из главы 7 Транзисторные схемы, приведенные в приложении 1, использовались в гл. 7 для иллюстрации метода свертки и метода статистического моделирования при вычислении гистограмм выходных переменных). Входные характеристики для этих расчетов приведены в табл. П3.1 и П3.2. Таблица ПЗ.1 Входные параметрыдляу си лителя народном транзисторе Пэра .метр Номинальное эяатенне параметра Допуск, % Параметр Номинальное эначедае параметра Допуск. % 20 kOm 5 kOm 1 kOm I kOm 0,6 kOm 0,6 kOm 10 10 10 10 10 60 I kOM 0.5 °C/Bt 0,65B 12 В 25 C 50 50 10 50 Как методов определения распределения вероятностей для выходных характеристик схем. {Прим. пер.). Таблица ПЗ.2 Входные параметры усилителя на трех транзисторах (все допуски приняты равными ±10о/о) Параметр Номинальное зваченне параметра Параметр Номинальное значе-вне параметра Яг R2 R, R. R. Rs 11,1 \l,2 0,6 кОм 20 Ом 40 кОм 13 кОм 1 кОм 3 кОы 425 Ом 0,5 кОм 1,59 кОм 1,59 кОм 0,186 кОм
Принято, что все параметры равномерно распределены в пределах допусков. Значения допусков на параметры транзисторов неполностью соответствуют реальным; например, на практике фактические допуски для hn, h2i, r, составляют до ±50%, тогда как напряжение Vbe MoxteT изменяться в пределах +20%. Приложение 4 Параметры транзистора н статистические соотношения между ними Данные измерений параметров трех наиболее широко используемых типов высокочастотных транзисторов представлены в форме шести эквивалептных параметров Л ьесе* шЬ*е> дс, определенных для девяти различных рабочих точек. По каждому типу имеются данные об испытаниях выборок нз 100 транзисторов. Любые из указанных трех типов транзисторов можно использовать в широкополосном усилителе, схема которого приведена в приложении 1. Чтобы выяснить форму распределений вероятностей для параметров транзисторов и установить статистические соотношения между ними, были предварительно изучены статистические данные об этих параметрах (Ф. Йенсен, 1972). Приведем некоторые результаты этого исследования. Все три типа транзисторов были кремниевые плоскостные эпитаксиальные с п-р-п-структурой. Изучена только одна рабочая точка С/св=6В, /с=1 мА. Средние значения и стандартные девиации для параметров транзисторов, приведенные в табл. П4.1, найдены на основе выборочных измерений. Гистограммы для параметров г,/, Cf,, С, тказаны на рис. П4.1-П4.3. Все возможные комбинации параметров транзисторов, взятых по два, каждый раз были затем нане- 20 10\-\ Велтииа интервала mSDM Pt~i г-1 Г-1 ¥ I 10 2990 Веттт интервала 0,175 ПФ -1-1 7,60 Оье,пФ Величина интерВалп и г-1 0,76В СьсПФ Рис. П4,1. Гистограмма параметров транзистора марки 2N918 с рабочей точкой f/cB=6 В, /с = 1 мА (объем выборки 99). величина интервала ОМабкОм  2,00 СьспФ Рис. П4.2. Гистограмма параметров тран.тстора марки BSX20 с рабочей точкой t/cB=: = 6 В, /с = 1 мА (объем выборки 93). Величина 0,11 hD.i frfKn, i-IhOh Ввличит интердйла В,В55пФ 60,0 Сье,пФ Величина 0,01йГ}ф 1,60 Рис. П4.0. Гистограмма параметров транзистора марки 2N2369 с рабочей точкой С/св= =6 В, \с = 1 мА (объем выборки 96). 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 [75] 76 77 78 79 80 81 82 83 |