|
| |
|
Слаботочка Книги А, КСВ -10 А, дБ -10 0,2 0,3 Рис. 8.11 0,5 d/X 0,2 0,3 Рис. 8.12 0,5 d/X меньше, чем у прямоугольной. Этот вывод подтверждается приведенными на рис. 8.12 данными о значении развязки между двумя продольными щелями на круговом цилиндре радиусом ка = 26,18 и на плоскости для различных d/X [8.8] при Ь/Х = 0,333, а/Ь = 0,84 (кривая 1, только для цилиндра) и а/Ь = 0,5 (кривая 2 - цилиндр, кривая 3 - плоскость). При этом угловые размеры трапециевидных канавок на цилиндре (/? - период, а - ширина в радианах относительно центра цилиндра) равнялись 0 = 0,08 в обоих случаях, а = 0,067 для кривой i, и а = 0,04 для кривой 2. Видно, что, как и отмечалось, d/Хкр для PC на цилиндре несколько (в 1,15 раза) больше, чем для плоского случая. На рис. 8.13 приведены графики развязки в диапазоне длин волн Amax/Amin = 1,4 [8.8] ДЛЯ ДВуХ ЩеЛбЙ на цилиндре со структурой (кривая 1) и без нее (кривая 3) при ка = 26,18 и на плоскости (кривая 2) [8.6] с геометрией структуры такой же, как и в предыдущем случае (см. рис. 8.12). Кривая 1 соответствует d = 0,267Amin, 0 = 0,08, , дБ -20 л, дБ -10 1,1 1,2 1,3 1,4 А/ Amin Рис. 8.13 -30 -50 -70
о 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 Рис. 8.14 а - 0,067 (см. рис. 8.7). Кривая соответствует металлической плоскости без структуры. Увеличить рабочую полосу PC можно также, внося дополнительные резонансные элементы, например слои магнитодиэлектрика, что подтверждают зависимости развязки от дли- Л, дБ -40 ны волны (рис. 8.14) для различных структур с Ь/А = 0,4 и а/6 = 0,5 без диэлектрического заполнения (кривая 1) и с канавками, частично заполненными магнитодиэлектриком (кривая 2) [8.9]. Толщина слоя магнитодиэлектрика равнялась 0,2А, а его параметры - ejeo = 4,5, ц/цо = 2 - 2г. На этом же рисунке приведена аналогичная зависимость (кривая 3) для полосковой структуры с тем же периодом (а - ширина просвета между полосками) на слое такого же магнитодиэлектрика, лежащем на металлическом основании (см. рис. 8.17). Оптимальная полоско-диэлектри-ческая структура (НДС) соответствует некоторой резонансной толщине с?/Акр. Наличие таких резонансов показано на рис. 8.15, где приведена зависимость величины развязки двух волноводов, расположенных по разные стороны НДС, состоящей из 20 периодов, от толщины d диэлектрической подложки (е/со = 4, p/fio = 1). (Период структуры 6 = 1,2 см, ширина полосок 01 = 0,6 см, расстояние от во.пно-водов до краев НДС li = l2 = 0,2 см, длина волны А = 3 см. На графике видны два резонанса , один из них при d/x 0,34). Так же, как и для ребристой PC, найдем, что толщина подложки, соответствующая этому резонансу и обеспечивающая максимальную дополнительную развязку в диапазоне 3,75.. .7,5 см, равна 2,56 см, т.е. о 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 d,cM Рис. 8.15 Л, дБ -30 -40 -50 -60 -70 L\ Ь а 5,5 О Рис. 8.16 7,5 А, см £ipi    p777   Рис. 8.17 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 [47] 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 |