Слаботочка Книги

1 2 [3] 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82

в CP на электронных лампах напряжение суперизации может вводиться последовательно со смещением в сеточную цепь (рис. 1.3,а) или последовательно с анодным напряжением (рис. 1.3,6). Аналогично строятся CP на транзисторах, в которых напряжения суперизации подаются на базу (рис. 1.4,а) или на коллектор (рис. 1.4,6). Вовсех этих случаях напряжение суперизации подается извне, от отдельного генератора, поэтому такие схемы называют схемами с внешней суперизацией. Однако можно построить CP и без внешнего источника супери-

Рис. 1.4. Схемы транзисторных CP с внешней суперизацией: а - на базу; б - на коллектор (С/, - напряжение суперизации)

зации, создав режим прерывистой генерации. Такие CP с автосуперизацией (рис. 1.5)-малогабаритные и экономичные приемники с высокой чувствительностью.

В диапазонах умеренно высоких частот (до 300 МГц) выполняются CP на лампах и обычных транзисторах. В диапазоне СВЧ CP можно реализовать на высокочастотных транзисторах, а также на других вакуумных и полупроводниковых приборах. Были построены CP на магнетронах и отражательных клистронах [10], однако они не нашли широкого применения из-за большого уровня внутренних шумов. Лучшие результаты были получены при использовании ламп бегущей волны (ЛБВ) и ламп обратной волны (ЛОВ) [4, 11, 17, 18, 40]. Еще менее шумящими являются CP на полупроводниковых диодах - туннельных или параметрических [72, 95, 124]. Схемы CP разных типов в диапазоне СВЧ приведены в гл. 5.

Рис. 1.5. Схема транзисторного CP с автосупс-ризацией

Процессы в схеме CP с суперизацией на базу транзистора или на сетку лампы иллюстрированы рис. 1.6. Напряжение смещения Ео выбирается достаточно большим, чтобы в отсутствие напряжения суперизации Uc крутизна была меньше критической, при которой возни-

Рис. 1.6. Изменение крутизны 5(0, затухания d{t) и напряжения на контуре u(i) в CP ,

кает генерация. Если напрйжение суперизации имеет достаточную амплитуду, то в момент 4 крутизна достигает своего критического значения и схема переходит в состояние самовозбуждения, которое будет длиться до момента 5. При этом в контуре нарастают свободные колебания тем быстрее, чем больше (по абсолютному значению) отрицательное затухание и начальная ЭДС сигнала в контуре. С момента 5 условия для самовозбуждения исчезают и колебания затухают. В момент ts они снова начинают нарастать и т. д. Таким образом, на выходе CP получается серия вспышек колебаний, причем

t

Рис. 1.7. Сигнал на входе (а) и напряжение на контуре CP (б) в линейном некогерентном режиме при AM сигнале и в линейном когерентном режиме (в)

уровень, до которого успевают нарасти колебания в контуре, определяется режимом схемы и амплитудой сигнала. Если амплитуда сигнала будет меняться по какому-либо закону, то по этому же закону (в линейном режиме) должна меняться огибающая вспышек свободных колебаний на контуре (рис. 1.7). Следовательно, при надлежащем выборе параметров детектора можно на выходе его получить напряжение, меняющееся по закону амплитудной модуляции сигнала. При угловой модуляции сигнала полезную информацию извлекают из фазы заполнения вспышек СР.

1 2 [3] 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82