|
| |
|
Слаботочка Книги ных преобразований находим (О:- -;£ ,ах..зсЯ, (/) COS [V/ - , К.эК.эо I S.Mw) I sin - v/J; =-1-Г ,3 (/) Л. При многократных запусках с периодом Гс имеем X {t) = -EmaxKu.3oKcH2{t-nTc) X X5i3(jA(o)sin(9o-v3 ) cos (v-фо), (4.30) где n - номер запуска; hn - точки пересечения функцией 6(0 оси времени сверху вниз. - Поскольку sin 2 является периодической функцией аргумента z с периодом 2п, величину vtsn можно заменить на AiOytzn, где А(0у=2па/Тс; а - дробная часть отношения тГс/2я) а выражение (4.30) записать в виде XSi3(jAco) I sin (фо-Acojsn) cos (v-фо). Это выражение показывает, что действие импульсов E{t) на параметрический СР в режиме многократных запусков равноценно действию гармонического сигнала ecy(0=ЛcySin [(v-A(Oj;)+c-y) с некоторыми постоянными амплитудой Лсу и фазой фсу- Амплитуда Асу эквивалентного сигнала пропорциональна амплитуде видеоимпульсов E{t) и зависит от их формы, в частности от крутизны в точках 4 , так как при уменьшении этой крутизны во столько же раз уменьшается произведение Kh.30Su(Jv) . Таким образом, подобно тому как это было в классическом СР, в параметрическом устройстве нелинейная суперизация вызывает ударные колебания, которые по своему проявлению эквивалентнь1 действию гармонического сигнала с амплитудой, пропорциональной крутизне импульсов суперизации в точках 4п- Второй вариант. Положим, что воздействие на частоте суперизации является параметрическим, а с помощью нелинейного элемента изменяются параметры на частоте накачки. Это означает, что в данном случае сопротивление Ro{t) реализовано с помощью некоторого парамет- рического элемента, а сопротивление i?H(/)=maxC0s2v воспроизводится за счет протекания тока накачки /н(0 через НЭ. Дифференциальное сопротивление этого элемента fl/..(01 = (p + n,axCOS2v/)>0, Искомое сопротивление Ru{t), получим, если последовательно с НЭ включим отрицательное сопротивление Roip, численно равное i?p (рис. 4.15,е). Положим, что сигнал e{t) отсутствует и имеет место суперизация прямоугольным напряжением, когда резистор Ro{t) в момент 3 при однократном запуске уменьшается скачком. Так как на частоте накачки схема устойчива, можно говорить о двух вынужденных колебаниях накачки Xsi{t) при t<t3 и Хп2(0 при t>t3. Поскольку Xsi{t)Xs2{t), непрерывность функции x{t) обеспечивается переходным процессом на собственной частоте системы, т. е. в данном примере также имеют место ударные колебания. При многократных запусках эти колебания можно заменить действием эквивалентного гармонического сигнала с амплитудой Лсу и фазой грсу. Амплитуда Лсу пропорциональна в общем случае крутизне функции Ro{t) в точках tan- Третий вариант. Оба процесса -и накачка, и суперизация - нелинейны, т. е. обеспечиваются протеканием токов суперизации и накачки через один или несколько нелинейных элементов. При этом паразитные переходные процессы (ударные колебания), описанные в первых двух примерах, в линейном приближении налагаются и их действие также можно отождествлять с действием эквивалентного гармонического сигнала, амплитуда которого пропорциональна крутизне импульса суперизации. Аналогичные закономерности наблюдаются и в схемах, где на нелинейный элемент подается напряжение накачки с амплитудной модуляцией. В последнем случае влияние ударных колебаний пропорционально крутизне огибающей накачки в точках з . Пороговой чувствительностью параметрического CP при наличии ударных колебаний (флуктуационные-про-цессы не учитываются) назовем амплитуду Лс внешнего гармонического сигнала e{t), равную амплитуде Лсу эквивалентного сигнала e]cy{t). Для оценки этой чувст- вительиости достаточно на СР подать гармонический синхронный (с частотой -v) сигнал с начальной фазой фо и уменьшать или увеличивать его амплитуду до тех пор, пока коэффициент амплитудной модуляции вспышек не достигнет значения, равного единице. В этот момент амплитуда Лс внешн-его сигнала будет равна Лсу, так как при ЛсЛсу всегда ml. Существуют два дополняющих друг друга метода уменьшения уровня ударных колебаний. Первый связан с уменьшением крутизны закона суперизации в точках 1зп, второй - с реализацией параметрического воздействия на частотах суперизации и накачки. Параметриче- С Выход  AM напряжение накачка Рис. 4.16. Схемы резистивного (а) и емкостного (б) параметрических СР с безударным запуском ское воздействие на активные сопротивления может осуществляться с помощью транзисторных модуляторов, на реактивные элементы (индуктивности, емкости)-с помощью балансных схем. Схемы емкостного и резистивного параметрических СР с параметрическим воздействием по частоте накачки показаны на рис. 4.16. В контур резистивного СР (рис. 4.16,а) постоянное отрицательное сопротивление вносится со стороны транзистора Т1, а меняк>щееся по закону модулированной накачки положительное сопротивление- со стороны модулятора Т2. В данном случае параметрическое воздействие реализуется с помощью транзисторного модулятора. В емкостном СР (рис. 4.16,6) модулированная накачка поступает в диагональ моста, образованного в.арикапами Д1 ... Д4, через трансформатор Тр. Цепи смещения варикапов на рисунке не пока- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 [49] 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 |