Слаботочка Книги

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 [212] 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255

ДЕТАЛИ И УЗЛЫ ТРАНЗИСТОРНЫХ РАДИОПРИЕМНИКОВ И РАДИОЛ

6.1 ТРАНЗИСТОРЫ

в транзисторных радиовещательных приемниках и радиолах, выпускаемых нашей промышленностью, применяются в основном германиевые транзисторы структуры р-п-р и реже - п-р-п. В зависимости от граничной частоты усиления все транзисторы делятся на низкочастотные (до 5 Мгц) и высокочастотные (свыше 5 Мгц), а по предельно допустимой мощности рассеяьшя коллектора транзисторы подразделяются на маломощные (до 0,25 вт) и мощные (свыше 0,25 вт).

В радиовещательных приемниках и радиолах применяются транзисторы следующих типов.

а) Низкочастотные; П13(А, Б), П14(А, Б), П15(А, Б), П25(А, Б), П37(А, Б), П38(А), П201, П202, П203, П213(А, Б), П216(А, Б), МП25(А, Б), М113/(А, Б), МГО8(А), МП39(А, Б), МП40(А, Б), МП41(А), ГТ108(А -Е), ГТ109(А -Е), ГТ402(А, Б), ГТ403, ГТ404(А, Б).

б) Высокочастотные: П401, П402, П403, П422, П423, ГТ309(А-Е), ГТ310(А-Е), ГТ313(А, Б), ГТ322(А - В), КТ315(А - Г).

При проектировании и разработке новых моделей транзисторных приемников, а также при их ремонте необходимо знать основные электрические параметры и предельно допустимые режимы работы транзисторов.

К основным параметрам транзисторов относятся следующие:

- предельная частота усиления по току - частота, при которой модуль коэффициента усиления по току в схеме с общей базой падает на 3 дб по сравнению с его низкочастотным значением,

\i - ко.чффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером - показывает отношение изменения тока коллектора к изменению тока базы при отсутствии сопротивления в це1Ш коллектора,

а - коэффициент усилении по току в схеме с общей базой - показывает отношение изменения тока коллектора к изменению тока эмиттера при отсутствии сопротивления в цепи коллектора.

/ о - обратный ток коллектора - ток, протекающий через коллекторный переход при разомкнутой цепи эмиттера.

Чем меньше At о. тем выше качество транзистора,

Fm - коэффициент шума - показывает отношение полной мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала. Это отношение показывает, во сколько раз мощность шумов на выходе реального транзистора больше мощности шумов на выходе такого же идеального нешумящего транзистора.

К основным предельно допустимым режимам работы транзисторов относятся:

макс - максимально допустимая мотцность рассеяния на коллекторном переходе,

/к макс - максимально допустимый ток коллектора,

Uk макс - максима.чьно донустилюе значение постоянного напряжения между коллектором и эмиттером.

Основные электрические параметры транзисторов, применяемых в радиовещательных приемниках, приведены в табл. 9.6 и 9.7, а расположение выводов электродов этих транзисторов показано на рис. 6.1.





цветная Цветная fjifoz movxa ПН01 точка



Цветная Цветная точка fTtZZ точка ptizi

5 ,А-

Корп(/г

ГТ313

Корпус

PTSZZ

цветная точка

Выступ фланца корпуса

ГТ309

ГТЗЮ

Цветная точка

Выступ фланца корпуса

г ТЮЗ

ГТЮ9





15 К

тз, П1Ч, П15,

П39, П 0, ПЧ1

XJUL

TIT мтз,мп1ч,мп15, мпзд,мпщмпч1

МП25

рШ7\

МП37,МПЗв

гтчоз




КТ315

ггчог,гтчоч

mi3,nzi6

Ъ 11

n20i,nzoz,nzo3

э к В

KT3I5

Рис. 6.1. Расположение выводов электродов транзисторов! /- - высокочастотных; *-/8 - низкочастотных; /* -кремниевого.



в радиовещательных транзисторных приемниках в основном применяется схема включения транзистора с общим эмиттером и значительно реже схема с общим коллектором (в каскадах предварительного усиления НЧ) и с общей базой (в каскадах блока УКВ и гетеродина), поэтому в табл. 9.8. даны основные (/-параметры транзисторов, измеренные при включении транзистора по схеме с общим эмиттером.

В справочниках по полупроводниковым приборам даны в основном электрические (1араметры транзисторов, измеренные в схеме с общей базой, поэтому при необходимости пересчета этих параметров пользуются соответствующими формулами. Например, коэффициент усиления по току а в схеме с общей базой можно найти, зная коэффициент усиления по току р в схеме с общим эмиттером и наоборот но формуле

1+ 1

или с помощью номограммы, показанной на рис. 6.2.

Особенностью транзисторов в отличие от электронных радиоламп является то, что они имеют сравнительно большой разброс электрических параметров

0,8 0,85 0,9

t 5

0,95 0,96 0,97 0,98 0,9 0,99

0,995 0,996 0,997 Ой

10 15 го 30 40 50 во 70 90 100 150 200 250 300 Рис. 6.2. Номограмма для пересчета коэффициентов а и р.

{ I

, , , 1,1. 1........1.... 1

1 Г ПЧ

у различных экземпляров, даже в пределах одного типа. Поэтому транзисторы, используемые для усиления в каскадах ВЧ и ПЧ, должны нормироваться по коэффициенту усиления по току Зо=Рот, по величине обратного тока коллектора /к о (особе(шо в каскадах, охваченных системой АРУ) и проходной емкости Сб к (база - коллектор).

У транзисторов, применяемых в каскадах предварительного усиления НЧ, необходимо контролировать параметры 3ст и / о.

Эти параметры транзисторов структуры р~п-р при включении в схеме с общим эмиттером можно измерять с помощью прибора типа Л2-1 (ИПТ-1). В случае отсутствия прибора Л2-1 коэффициент усиления по току (Зет можно измерять с помощью простой схемы, приведенной на рис. 6.3.

1 470

,5в

Рис. 6.3. Схема для измерения коэффициента усиления по току Рст транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.


Рис. 6.4. Схема для измерения обратного тока коллектора / о транзистора с проводимостью р-п-р.

Перед включением транзистора в схему (рис. 6.3) необходимо потен Ц1и)метр R\ поставить в положение минимального сопротивления, затем

21 Зак. 567 641




1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 [212] 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255
Яндекс.Метрика