Примечания. 1. Параметры транзнсторов, указанные в таблице, измерены в схеме с общим эмиттером и в схеме с общей базой в режиме: э к~~° Р температуре окружающей среды 20° С.
2. Наименование параметров: gn -активная составляющая входной проводимости транзистора прн короткозамкнутом выходе, т. е. величина, обратная входному сопротивлению транзистора /ц? (?22 -активная составляющая выходной проводимости транзистора при короткозамкнутом входе, т. е. величина, обратная выходному сопротивлению транзистора Нг; (/21 -модуль прямой проводимости транзистора при короткозамкнутом выходе; У12 - модуль обратной проводимости транзистора прн короткозамкнутом входе; Сц - входная емкость транзистора при короткозамкнутом выходе; С22 -выходная емкость транзистора при короткозамкнутом входе; Ci2 -проходная емкость транзистора при короткозамкнутом входе.
3. В таблице для каждого типа транзистора указаны граничные значения параметров (верхние цифры) и наиболее вероятные (средние) значения этих параметров (нижние цифры).
Таблица 9.9
Основные электрические параметры полупроводниковых диодов
Тип диода
ир, ма
выпр ыакс, ш
обр маис,
обр.
прп Уцбр (0)
Точечные
германие
вые диод
250(10)
250(10)
250 (10)
250 (10)
250 (10)
100(10)
250 (30)
250 (50)
250(100)
250(10)
250(10)
250(30)
250 (30)
250(50)
250(100)
60 (30)
Т 0 ч е ч и
ые кремниевые
Д101
10(75)
10 (75)
30 (30)
ДЮЗА
30 (30)
Импульсные германиевые
50 (20)
50 (10)
Импульсные кремниевые
Д220
1 (50)
Д220А
1(70)
Д220Б
1(100)
Выпрямите
льные плоскостные герма ни
евые диоды
100 (50)
100(100)
100(150)
100(200)
100(350)
100 (400)
Выпрямительные
плоское
тные кремниевые
Д226
30 (400)
Д226А
30 (300)
Д226В
100 (400)
Д226Г
100 (300)
Обозначения: р -прямой ток прн напряжении на диоде I в (для диодов Д101, ДЮЗ 2 е); оыпр макс ~* максимальный выпрямленный ток; Ср - обратное напряжение; обр м1кс - максимальное обратное напряжение; /обр~° ратный ток прн максимальной амплитуде обратного напряжения.
